熔體抽拉Co基非晶絲的磁化及GMI效應(yīng)研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、軟磁材料的巨磁阻抗(GMI)效應(yīng)是指其阻抗隨外加直流磁場而敏感變化的現(xiàn)象,由于其具有靈敏度高、響應(yīng)快等特點,在磁傳感器、磁存儲中具有重要的應(yīng)用。迄今為止,非晶絲材是 GMI效應(yīng)最出色的軟磁功能材料,可直接應(yīng)用于磁傳感器等敏感元件的制備。本文以熔體抽拉 Co68Fe4.5Si15B12.5非晶絲為研究對象,測試了非晶絲的軟磁性能和磁化過程,主要研究了不同激勵電流下的磁化和GMI效應(yīng)、絲材長度和直徑對GMI效應(yīng)的影響、非晶絲之間的磁交互作用

2、、退火處理和機械拉應(yīng)力影響GMI效應(yīng)的基本機制和規(guī)律。
  采用橫向Kerr效應(yīng)分析了不同交流激勵下非晶絲的磁化過程及其與GMI效應(yīng)的關(guān)系。研究表明頻率主要是通過渦流阻尼和趨膚效應(yīng)影響非晶絲的環(huán)向磁化過程和GMI效應(yīng)。低頻下,環(huán)向磁化以疇壁位移為主,頻率升高,渦流阻尼增強,磁矩轉(zhuǎn)動成為主要的磁化過程,而趨膚效應(yīng)有利于表層環(huán)向疇的環(huán)向磁化,因而 GMI效應(yīng)隨頻率升高而逐漸增強;但渦流阻尼的存在,矯頑力升高,等效各向異性場Hm逐漸升高

3、。激勵電流幅值則是通過其產(chǎn)生的環(huán)向磁場影響非晶絲在直流磁場作用下的環(huán)向磁化過程,進而影響 GMI效應(yīng)。低頻下激勵電流幅值增加,直流磁場下的環(huán)向磁化強度和GMI效應(yīng)減?。辉?.2MHz-1MHz范圍內(nèi),存在最佳幅值Ip激勵時,直流磁場作用下的GMI效應(yīng)最強,且Ip隨著交流頻率升高而逐漸升高。頻率升高,趨膚效應(yīng)成為影響磁化過程的主要因素,電流幅值對GMI效應(yīng)的影響逐漸降低,頻率大于15MHz后,激勵電流幅值對GMI效應(yīng)的影響可以忽略。

4、>  分析非晶絲長度對 GMI效應(yīng)的影響發(fā)現(xiàn):低頻下,隨樣品長度減小退磁場增加,有效磁場降低,GMI效應(yīng)逐漸減小,1MHz時,隨樣品長度由20mm減小到4mm,其阻抗變化率ΔZ/Z由8.07%減小到1.03%。而中等頻率時,一方面,樣品長度減小,閉合疇的邊界效應(yīng)增強并成為影響磁化轉(zhuǎn)動過程的主要因素;另一方面,長度減小,電阻減小有利于GMI效應(yīng),這兩方面作用使得存在一個最佳值時GMI效應(yīng)最強。直徑34μm的非晶絲、長度為7mm時,其 GM

5、I效應(yīng)最強,8MHz時ΔZ/Z達到86.1%。
  利用高分辨透射電鏡觀察了不同直徑金屬絲的微觀結(jié)構(gòu),并測試了其軟磁性能及其 GMI效應(yīng)。隨絲材直徑增加,凝固冷卻速率降低,非晶基體內(nèi)短程有序轉(zhuǎn)變?yōu)椴煌螤畹拈L程有序或納米晶,局域各向異性提高,軟磁性能降低,GMI效應(yīng)降低。而直徑較小的非晶絲,快的凝固冷卻速度導(dǎo)致內(nèi)應(yīng)力分布不均勻、絲材表面質(zhì)量下降,GMI效應(yīng)相對較低。直徑35μm左右的非晶絲既具有非晶態(tài)合金優(yōu)異的軟磁性能,又保證一定

6、的凝固時間,內(nèi)應(yīng)力分布均勻,GMI效應(yīng)較強。
  對平行排列非晶絲的軟磁性能和GMI效應(yīng)分析發(fā)現(xiàn),兩絲距離小于8mm時,兩絲之間存在強的磁相互作用,導(dǎo)致兩絲磁化不同步,磁滯回線上存在兩個Barkhausen跳躍,GMI曲線出現(xiàn)雙峰。另外,由于非晶絲對電磁場有屏蔽作用,非晶絲數(shù)量增加,有效磁場降低;另一方面,磁交互作用下兩絲形成閉合磁路,有利于獲得大的環(huán)向磁導(dǎo)率。因而,兩絲距離增加,磁交互作用減弱,有效磁場提高,GMI效應(yīng)逐漸增強,

7、距離為8mm時,GMI效應(yīng)最強,10MHz時,單根絲ΔZ/Z為74.7%,并聯(lián)后達到172.4%。繼續(xù)增加樣品之間的距離到12mm,磁交互作用消失,兩絲磁化完全同步,GMI效應(yīng)相對降低。增加并聯(lián)樣品數(shù)量有利于進一步提高低頻GMI效應(yīng),頻率升高,屏蔽效應(yīng)增強,兩絲并聯(lián)時GMI效應(yīng)更強。但三絲并聯(lián),對稱磁交互作用使得 GMI多峰不明顯,因而提高了磁場響應(yīng)靈敏度,0.2MHz時達到0.81%/(A/m)。
  對Co基非晶絲進行了不同工

8、藝的退火調(diào)制處理,發(fā)現(xiàn)通過磁場或者應(yīng)力場提高其環(huán)向疇體積,有利于獲得大的GMI效應(yīng),而適當?shù)臋C械拉應(yīng)力(<100MPa)是提高GMI效應(yīng)及其磁場響應(yīng)靈敏度的有效方法。應(yīng)力場產(chǎn)生環(huán)向磁場作用下,磁疇重組,環(huán)向疇體積增加,因而其各向異性和GMI效應(yīng)大大提高。低頻時,84.5 MPa拉應(yīng)力可獲得最好的GMI效應(yīng),如0.6MHz時,磁場響應(yīng)靈敏度達到4.2%/(A/m)。頻率升高,雖然ΔZ/Z逐漸升高,由于等效各向異性場Hm升高,小的拉應(yīng)力更適

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