1000kV串聯(lián)式工頻電壓比例標準研究.pdf

1、華中科技大學博士學位論文1000kV串聯(lián)式工頻電壓比例標準研究姓名：雷民申請學位級別：博士專業(yè)：高電壓與絕緣技術指導教師：何俊佳20091101華中科技大學博士學位論文II利用有限元分析軟件ANSYS對1000kVSSTV樣機結構設計中電場較為不均勻的局部地方進行了電場仿真計算及分析，得到以下結論：高壓導體連接塊的形狀和接地內屏蔽筒的內徑2r及高度h是影響套管部位電場分布的主要因素，通過改變高壓導體連接塊的形狀，可以改善套管內部及盆式絕

2、緣子部位的電場分布；通過調整接地內屏蔽筒的高度可以改善接地屏蔽筒上端部屏蔽環(huán)處的電場分布及套管外部電場分布；通過調整接地屏蔽筒內徑可以改善套管內部及盆式絕緣子部位的電場分布。對于HVIT，在屏蔽體計算模型的內空尺寸確定的前提下，高、低壓屏蔽電極和鐵芯屏蔽電極的端部圓弧倒角半徑是影響HVIT內部電場的主要因素。最后，針對串聯(lián)式電壓互感器的原理及結構特點提出了基于電壓加法原理的半絕緣互感器電壓加法溯源方法，通過試驗的方法對1000kV串聯(lián)式

3、標準電壓互感器的量值溯源方法及穩(wěn)定性進行了研究，得到以下結論：臨近效應對串聯(lián)式電壓互感器的誤差性能影響遠遠小于對串級式電壓互感器的誤差性能，一般不大于5102；采用半絕緣互感器電壓加法和電壓系數(shù)法分別對1000kV串聯(lián)式標準電壓互感器樣機進行量值溯源測量，測量結果的一致性很好，偏差不大于5103。試驗結果表明，樣機的絕緣水平和誤差性能均滿足設計要求；兩種溯源方法相比，半絕緣互感器電壓加法所使用的設備少，測量線路相對簡單，數(shù)據(jù)容易處理，而