1000kV串聯(lián)式工頻電壓比例標(biāo)準(zhǔn)研究.pdf

1、華中科技大學(xué)博士學(xué)位論文1000kV串聯(lián)式工頻電壓比例標(biāo)準(zhǔn)研究姓名：雷民申請(qǐng)學(xué)位級(jí)別：博士專業(yè)：高電壓與絕緣技術(shù)指導(dǎo)教師：何俊佳20091101華中科技大學(xué)博士學(xué)位論文II利用有限元分析軟件ANSYS對(duì)1000kVSSTV樣機(jī)結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)中電場(chǎng)較為不均勻的局部地方進(jìn)行了電場(chǎng)仿真計(jì)算及分析，得到以下結(jié)論：高壓導(dǎo)體連接塊的形狀和接地內(nèi)屏蔽筒的內(nèi)徑2r及高度h是影響套管部位電場(chǎng)分布的主要因素，通過改變高壓導(dǎo)體連接塊的形狀，可以改善套管內(nèi)部及盆式絕

2、緣子部位的電場(chǎng)分布；通過調(diào)整接地內(nèi)屏蔽筒的高度可以改善接地屏蔽筒上端部屏蔽環(huán)處的電場(chǎng)分布及套管外部電場(chǎng)分布；通過調(diào)整接地屏蔽筒內(nèi)徑可以改善套管內(nèi)部及盆式絕緣子部位的電場(chǎng)分布。對(duì)于HVIT，在屏蔽體計(jì)算模型的內(nèi)空尺寸確定的前提下，高、低壓屏蔽電極和鐵芯屏蔽電極的端部圓弧倒角半徑是影響HVIT內(nèi)部電場(chǎng)的主要因素。最后，針對(duì)串聯(lián)式電壓互感器的原理及結(jié)構(gòu)特點(diǎn)提出了基于電壓加法原理的半絕緣互感器電壓加法溯源方法，通過試驗(yàn)的方法對(duì)1000kV串聯(lián)式

3、標(biāo)準(zhǔn)電壓互感器的量值溯源方法及穩(wěn)定性進(jìn)行了研究，得到以下結(jié)論：臨近效應(yīng)對(duì)串聯(lián)式電壓互感器的誤差性能影響遠(yuǎn)遠(yuǎn)小于對(duì)串級(jí)式電壓互感器的誤差性能，一般不大于5102；采用半絕緣互感器電壓加法和電壓系數(shù)法分別對(duì)1000kV串聯(lián)式標(biāo)準(zhǔn)電壓互感器樣機(jī)進(jìn)行量值溯源測(cè)量，測(cè)量結(jié)果的一致性很好，偏差不大于5103。試驗(yàn)結(jié)果表明，樣機(jī)的絕緣水平和誤差性能均滿足設(shè)計(jì)要求；兩種溯源方法相比，半絕緣互感器電壓加法所使用的設(shè)備少，測(cè)量線路相對(duì)簡(jiǎn)單，數(shù)據(jù)容易處理，而