極紫外投影光刻中若干關(guān)鍵技術(shù)研究.pdf

1、極紫外投影光刻(EUVL，ExtremeUltravioletLithography)技術(shù)作為下一代光刻技術(shù)中最佳候選技術(shù)，建立于可見/紫外光學(xué)光刻的諸多關(guān)鍵單元技術(shù)基礎(chǔ)之上，工作波長為11～14nm，適用于制造特征尺寸為65～35nm的數(shù)代超大規(guī)模集成電路，預(yù)計(jì)在2006年將成為主流光刻技術(shù)。應(yīng)用光學(xué)國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室自上世紀(jì)90年代初起一直關(guān)注著國際上的EUVL研究進(jìn)展。出于進(jìn)行EUVL原理及相關(guān)技術(shù)研究的目的，筆者采用微縮投影的計(jì)算機(jī)

2、輔助裝調(diào)技術(shù)研制了國內(nèi)第一套由激光等離子體光源、掠入射橢球激光鏡、透射掩模、微縮投影物鏡及相應(yīng)真空系統(tǒng)組成的EUVL原理裝置。EUVL微縮投影物鏡為了同時(shí)實(shí)現(xiàn)大的曝光視場和0.1μm以下的成像分辨率，微縮投影光學(xué)系統(tǒng)需采用面形精度達(dá)亞納米量級的非球面，但我們現(xiàn)階段的光學(xué)加工和檢測技術(shù)距此要求尚有一定的差距。作為研究的第一步，出于進(jìn)行EUVL原理及系統(tǒng)設(shè)計(jì)、光學(xué)元件的制備、系統(tǒng)集成、掩模曝光實(shí)驗(yàn)等相關(guān)技術(shù)研究目的，采用球面Schwarzs