磁場對于集成電路工藝微電子測試圖分析的影響及其解決方法的研究.pdf

1、可靠性物理是集成電路中必需而且重要的一門學科，根據(jù)器件的關鍵工藝參數(shù)，對產(chǎn)品進行可靠試驗，并作出可靠性評估，以調(diào)整對新產(chǎn)品可靠性設計，生產(chǎn)中質(zhì)量控制以及器件的正確使用，以最終提高器件的可靠性?，F(xiàn)在集成電路工藝發(fā)展迅速，從亞微米到深亞微米0.35um，0.18um，0.11um，90nm，65nm，45nm…。在制造工藝的迅猛發(fā)展的同時，工藝的可靠性研究也越來越重要，越來越嚴格?，F(xiàn)在在生產(chǎn)過程中，充分利用微電子測試圖技術(shù)研究；對專門設計的

2、微電子測試結(jié)構(gòu)進行簡單的電學測量或顯微鏡觀察，提取有關生產(chǎn)工藝參數(shù)和單元器件或電路的電參數(shù)，提高芯片良率。本研究分析發(fā)現(xiàn)外來磁場對SEM圖像會產(chǎn)生扭曲變化，進而帶來測試值存在較大誤差的影響。本論文在工藝和硬件上提出了解決方案。工藝上，利用multi point的量測方法代替了原始的single point量測方法，硬件上，設計建立了一個主動式反磁場系統(tǒng)平臺的方案，利用感應器和控制器發(fā)送到電流到框架產(chǎn)生不同向量的磁場，將周圍的磁場完全逆向