CMOS集成電路設(shè)計(jì)中的熱問(wèn)題及其分析方法的研究.pdf

1、隨著CMOS集成電路中元件密度的不斷提供以及工作速度的不斷加快，人們對(duì)集成電路中熱問(wèn)題越來(lái)越關(guān)注。由于器件的失效與局部工作溫度有著密切的關(guān)系，電路中由局部高溫引起的熱斑已經(jīng)成為影響集成電路長(zhǎng)期可靠性的重要因素。集成電路中超過(guò)50％的失效都與熱問(wèn)題相關(guān)。因此，隨著集成電路工藝尺寸的繼續(xù)減小，對(duì)于集成電路中熱問(wèn)題的研究，考察熱對(duì)電路性能、功耗以及可靠性的影響，并提供熱可靠性設(shè)計(jì)的指導(dǎo)方針將變得非常重要。本文提出了一種新的CMOS集成電路熱分

2、析方法，結(jié)合了一個(gè)spice工具(Hspice)與一個(gè)有限元分析工具(ANSYS)對(duì)此集成電路進(jìn)行熱分析。LAnkCAD for ANSYS幫助軟件被用于這兩個(gè)常用軟件之間的銜接。 本文詳細(xì)介紹了CMOS集成電路中功耗的三個(gè)主要組成部分：動(dòng)態(tài)功耗、短路功耗與靜態(tài)功耗。集成電路中總功耗的增加將會(huì)直接導(dǎo)致片上溫度的升高。分析了溫度對(duì)于電路器件參數(shù)的影響，隨著溫度的升高，上升、下降時(shí)間增加，延時(shí)時(shí)間增加，工作頻率減小等。 此熱

3、分析方法是針對(duì)電路設(shè)計(jì)的熱分析。采用全定制方法設(shè)計(jì)了一個(gè)一位比較器作為熱分析對(duì)象，由于使用的是0.18um的工藝庫(kù)，NMOSFET與PMOSFET的寬長(zhǎng)尺寸分別被設(shè)定為1um/0.18um，1.5um/0.18um。仿真驗(yàn)證后獲得其完整的spice網(wǎng)表和GDSⅡ文件。 利用Hspice對(duì)電路中的各個(gè)門(mén)電路進(jìn)行功耗仿真，所加激勵(lì)：電源電壓為1.8V，輸入脈沖寬度為1us，脈沖頻率為0.5MHz。仿真結(jié)果：非門(mén)的平均功耗值為4.73

4、×10<'-8>W，與門(mén)的平均功耗值為5.76×10<'-8>W，或非門(mén)的平均功耗值為1.96×10<'-8>W。將平均功耗除以面積后的熱流密度作為ANSYS分析中的熱源。 利用LinkCAD for ANSYS將GDSⅡ文件轉(zhuǎn)換為ANF文件后導(dǎo)入ANSYS中，加邊界條件300K，求解得到整個(gè)電路的溫度分布情況。從分析結(jié)果看，整個(gè)電路的溫度分布并不均勻，為了得到更為均勻的溫度分布并達(dá)到更好的熱可靠性，對(duì)電路設(shè)計(jì)進(jìn)行了優(yōu)化，本文中