2023年全國碩士研究生考試考研英語一試題真題(含答案詳解+作文范文)_第1頁
已閱讀1頁,還剩139頁未讀, 繼續(xù)免費閱讀

下載本文檔

版權說明:本文檔由用戶提供并上傳,收益歸屬內容提供方,若內容存在侵權,請進行舉報或認領

文檔簡介

1、含鉛量較大的鐵電材料在制備和使用的過程中,都會給環(huán)境和人類帶來損害.為了保護地球和人類的生存空間,防止環(huán)境的污染,實現(xiàn)可持續(xù)發(fā)展的目標,世界各國的科技工作者正在抓緊研究少鉛或無鉛的壓電、鐵電材料.其中,鈦酸鉍鈉——Na<,0.5>Bi<,0.5>TiO<,3>(NBT)基材料是近幾年研究的少鉛或無鉛的熱門材料之一.目前對鈦酸鉍鈉基材料的研究主要集中在陶瓷和單晶上,我們尚未見到Na<,0.5>Bi<,0.5>TiO<,3>基薄膜材料的報道

2、.該論文正是針對這種具有實用環(huán)保意義的研究方向和鈦酸鉍鈉基薄膜這一具有創(chuàng)新意義的工作,進行了鈦酸鉍鈉基薄膜的制備及其鐵電性的研究.該論文的主要工作之一正是研究鈦酸鉍鈉基鐵電薄膜及其在Au/NBT/SiO<,2>/Si/Au的MFISM結構上電容器的應用指標和特性.該論文對鈦酸鉍鈉基鐵電薄膜進行了系統(tǒng)的、探索性的研究.從前驅體的配制、薄膜制備、組份測定到X射線測量.從電滯回線測量、介電溫譜和介電頻譜的測量、C-V曲線的測量到薄膜器件開關翻

3、轉次數(shù)的測量.從薄膜的濕法刻蝕到等離子刻蝕工藝的研究.從原子力顯微鏡對薄膜形貌、結構的觀察和分析到高分辨電子顯微鏡對TiO<,2>納米晶結構的確定和缺陷的觀察.我們制備的Na<,0.5>Bi<,0.5>TiO<,3>薄膜在±4V的范圍內,電阻率大于1.30×10<'13>Ω·cm.含鉛13%的0.87Na<,0.5>Bi<,0.5>TiO<,3->0.13PbTiO<,3>薄膜在±5V的范圍內,漏電流密度始終小于10<'-8>A/cm<

4、'2>.我們制備的鈦酸鉍鈉基薄膜的厚度通常在3000-7000A的范圍,厚度6000A左右的薄膜工作耐壓可以達到15V.顯示出鈦酸鉍鈉基薄膜具有良好的絕緣特性和低的漏電流.這也是一項重要的應用指標.我們還重點分析了在硅襯底上使用MOSD+Dipping方法和在鉑金襯底上使用MOSD+Spin Coating方法制備鈦酸鉍鈉基薄膜在工藝上的不同.特別研究了采用上述兩種薄膜制備工藝對薄膜結晶退火溫度的影響.研究表明采用MOSD+Dippin

溫馨提示

  • 1. 本站所有資源如無特殊說明,都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請下載最新的WinRAR軟件解壓。
  • 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等,如果需要附件,請聯(lián)系上傳者。文件的所有權益歸上傳用戶所有。
  • 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙,網頁內容里面會有圖紙預覽,若沒有圖紙預覽就沒有圖紙。
  • 4. 未經權益所有人同意不得將文件中的內容挪作商業(yè)或盈利用途。
  • 5. 眾賞文庫僅提供信息存儲空間,僅對用戶上傳內容的表現(xiàn)方式做保護處理,對用戶上傳分享的文檔內容本身不做任何修改或編輯,并不能對任何下載內容負責。
  • 6. 下載文件中如有侵權或不適當內容,請與我們聯(lián)系,我們立即糾正。
  • 7. 本站不保證下載資源的準確性、安全性和完整性, 同時也不承擔用戶因使用這些下載資源對自己和他人造成任何形式的傷害或損失。

評論

0/150

提交評論