磁約束磁控濺射源的關(guān)鍵技術(shù)研究.pdf

1、磁控濺射技術(shù)又被稱為低溫濺射技術(shù)，這是常用的薄膜制備方法之一，同熱蒸發(fā)技術(shù)相比，磁控濺射技術(shù)鍍制的膜層致密性、均勻性好，膜層與基體材料結(jié)合力強(qiáng)以及鍍制薄膜的膜層成份容易控制等。磁控濺射技術(shù)目前廣泛應(yīng)用在光學(xué)薄膜、微電子、半導(dǎo)體材料、表面微結(jié)構(gòu)加工、表面改性等方面。靶材利用率、靶材濺射效率低一直是磁控濺射技術(shù)中的不足之處，提高靶材利用率和濺射效率長期受人們的關(guān)注。
　　 本文基于磁鏡原理設(shè)計(jì)出了一種新型的磁控濺射源--磁約束磁控濺

2、射源。磁鏡是在空間形成了一個(gè)兩端強(qiáng)中間弱的磁場，它將運(yùn)動(dòng)著的電子和離子約束在中間磁場較弱的區(qū)域。本裝置將磁鐵沿水平方向分置在靶材兩側(cè)，在靶材上方形成磁約束磁場，等離子體被約束在靶面的上方區(qū)域，在電場的作用下，實(shí)現(xiàn)離子對(duì)靶面的大范圍濺射。
　　 通過對(duì)已有磁約束磁控濺射裝置的實(shí)驗(yàn)，等離子體的區(qū)域有所擴(kuò)展，靶材利用率和濺射率得到了一定的提高，但是實(shí)驗(yàn)過程中發(fā)現(xiàn)有拉弧現(xiàn)象。為了解決拉弧問題，并進(jìn)一步提高靶材利用率和濺射率，本文在原有磁