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1、隨著集成電路設(shè)計(jì)技術(shù)的發(fā)展,其相應(yīng)的測(cè)試也變得十分重要。測(cè)試生成為測(cè)試過(guò)程中的一個(gè)重要環(huán)節(jié)。本文首先綜述了當(dāng)前基于集成電路寄存器傳輸級(jí)(Register Transfer Level,簡(jiǎn)稱RTL)的測(cè)試生成方法和驗(yàn)證方法。在此基礎(chǔ)上給出作者所提出的RTL測(cè)試生成方法,同時(shí)考慮到當(dāng)前RTL測(cè)試生成的困難在于缺少有效的故障模型,本文還給出了RTL故障模型分析方法。本文工作主要體現(xiàn)在以下三個(gè)方面: 1.兼顧RTL代碼內(nèi)部分枝的狀態(tài)測(cè)試
2、生成。本文在狀態(tài)覆蓋的基礎(chǔ)上,給出一種虛擴(kuò)展?fàn)顟B(tài)轉(zhuǎn)換的方法,該方法將狀態(tài)轉(zhuǎn)換同其內(nèi)部分枝有效的結(jié)合在一起。在此基礎(chǔ)上再進(jìn)行狀態(tài)覆蓋測(cè)試生成,生成的測(cè)試向量可以實(shí)現(xiàn)對(duì)RTL代碼內(nèi)部分枝的覆蓋。結(jié)合提出的這種方法,選用了部分ITC99-benchmark電路進(jìn)行了相關(guān)實(shí)驗(yàn),給出了實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)和相關(guān)分析,與VTG比較,比VTG生成的測(cè)試向量要少一半,而覆蓋率平均以后大致相等。 2.基于遺傳算法的時(shí)序電路測(cè)試向量生成。文中引入遺傳算法,并以
3、狀態(tài)與狀態(tài)轉(zhuǎn)換為評(píng)估。引入靜態(tài)狀態(tài)轉(zhuǎn)換(圖)及動(dòng)態(tài)狀態(tài)轉(zhuǎn)換(圖)的概念。給出了靜態(tài)、動(dòng)態(tài)狀態(tài)轉(zhuǎn)換的三個(gè)基本屬性。在此方法的基礎(chǔ)上,給出了實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù),并將結(jié)果X-Pulling系統(tǒng)作比較。比較的結(jié)果說(shuō)明:在覆蓋率相近的情況下,比X-Pulling運(yùn)行速度快一個(gè)數(shù)量級(jí)。 3.RTL故障模型分析。本文針對(duì)RTL故障模型進(jìn)行分析,分析它與門級(jí)固定型故障模型之間的關(guān)系;RTL故障模型之間的關(guān)系。給出了一些基本概念和定義,依據(jù)這些概念和定義又
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