三維集成電路TSV模型及高可靠傳輸研究.pdf

1、基于穿硅通孔Through Silicon Via（TSV）垂直互連的三維集成電路已成為未來(lái)發(fā)展的趨勢(shì)，這種直接通過(guò)穿孔實(shí)現(xiàn)垂直互連的技術(shù)能夠提供更短的傳輸路徑和更高的帶寬。然而隨著單位面積上越來(lái)越多的TSV，信號(hào)可靠性成了有一大問(wèn)題。
　　本課題針對(duì)這一問(wèn)題，通過(guò)建立噪聲模型的方式，從理論層面上分析基于TS V高速傳輸過(guò)程中的噪聲問(wèn)題，并提出了切實(shí)可行的設(shè)計(jì)優(yōu)化方案。課題中先后建立了TS V自身的三維串?dāng)_模型和S參數(shù)數(shù)學(xué)模型，并

2、通過(guò)三維軟件仿真和數(shù)學(xué)計(jì)算驗(yàn)證模型的準(zhǔn)確性。隨后針對(duì)廣泛應(yīng)用的Si-Interposer互連結(jié)構(gòu)建立模型，并基于模型提出了切實(shí)可行的優(yōu)化思想?；?S參數(shù)模型，串?dāng)_相關(guān)的多項(xiàng)噪聲，例如Peak-to-Peak噪聲，傳輸延時(shí)以及誤碼率得到研究，并在最后從系統(tǒng)層面提出了一種優(yōu)化傳輸?shù)氖侄巍?br>　　研究結(jié)果表明，課題所采用的串?dāng)_噪聲模型能夠很好的反映出不同環(huán)境下TS V傳輸線的高速串?dāng)_問(wèn)題，所做的S參數(shù)模型與EM仿真結(jié)果一致，所做的關(guān)于P