第一性原理方法研究空位缺陷Si與SiC的結(jié)構(gòu)與導(dǎo)電性.pdf_第1頁(yè)
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1、北京化工大學(xué)碩士研究生學(xué)位論文題目筮二絲愿堡友法硒究窒僮筮陷墨至皇至g數(shù)結(jié)撿皇昱電絲日期：二。一一年五月五日北京化工大學(xué)位論文原創(chuàng)性聲明本人鄭重聲明：所呈交的學(xué)位論文，是本人在導(dǎo)師的指導(dǎo)下，獨(dú)立進(jìn)行研究工作所取得的成果。除文中已經(jīng)注明引用的內(nèi)容外，本論文不含任何其他個(gè)人或集體已經(jīng)發(fā)表或撰寫(xiě)過(guò)的作品成果。對(duì)本文的研究做出重要貢獻(xiàn)的個(gè)人和集體，均已在文中以明確方式標(biāo)明。本人完全意識(shí)到本聲明的法律結(jié)果由本人承擔(dān)。作者簽名：—j凄蟬日期：～關(guān)于

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