微電子關(guān)鍵尺寸測試系統(tǒng)的優(yōu)化分析及圖像化顯示技術(shù).pdf

1、由于半導(dǎo)體技術(shù)的高速騰飛,更深的技術(shù)節(jié)點(diǎn)在工藝過程,如各種材料和結(jié)構(gòu)的氧化、摻雜、刻蝕、沉積等,以及關(guān)鍵尺寸(Critical Dimensions)的測量中得以不斷地發(fā)展和推進(jìn)。但是由于推進(jìn)更深的技術(shù)節(jié)點(diǎn)的難度加上新材料、新結(jié)構(gòu)日益增加的復(fù)雜度,微電子測量分析技術(shù)也開始遭遇到極大的挑戰(zhàn)。關(guān)鍵尺寸的在線測量是IC制造鏈條中的關(guān)鍵環(huán)節(jié),因此更具實(shí)用性、更能滿足苛刻的工作需求的測量分析方法亟需研究應(yīng)用。
　　光學(xué)關(guān)鍵尺寸(OCD)測量

2、分析系統(tǒng)相對(duì)于其他傳統(tǒng)的測量技術(shù),如掃描電子顯微鏡(SEM)、原子力顯微鏡(AFM)、掃描探針顯微鏡(SPM),有著更低測量成本、對(duì)測量環(huán)境有著更弱的限制條、并能夠?qū)崿F(xiàn)在線、實(shí)時(shí)測量分析、不損壞被測樣品結(jié)構(gòu)的優(yōu)勢,因此被廣泛研究和應(yīng)用。關(guān)鍵尺寸測量(參數(shù)優(yōu)化)是光柵結(jié)構(gòu)衍射的一個(gè)逆問題,為了解決這一問題,本文研究了各種非線性優(yōu)化分析方法,其中包括基于最小二乘法的最速下降法、牛頓法、高斯-牛頓法, Levenberg-Marquardt算

3、法(簡稱LM算法)等,最后基于LM算法實(shí)現(xiàn)了對(duì)均勻膜層/光柵結(jié)構(gòu)的關(guān)鍵尺寸的優(yōu)化分析,反演計(jì)算出關(guān)鍵尺寸的實(shí)際大小。為了彌補(bǔ)該算法局部優(yōu)化的局限性,本課題還提到可以對(duì)待求參數(shù)實(shí)行建庫-搜索或者將LM算法與建庫-搜索法結(jié)合起來,反演計(jì)算或者搜索出關(guān)鍵尺寸參數(shù),即實(shí)現(xiàn)全局優(yōu)化。
　　此外,本文引進(jìn)了OpenGL(Open Graphics Library)開放圖形庫,運(yùn)用OpenGL強(qiáng)大的函數(shù)庫,在MFC(Microsoft Foun