中溫?zé)Y(jié)鎂鈦硅系介質(zhì)陶瓷的研究.pdf

1、本文系統(tǒng)研究了Mg2(Si,Ti)O4基低介陶瓷的介電性能,這類材料可作為基板材料應(yīng)用到電子電路中。如何在不降低其介電性能的前提下,通過添加助融劑,降低燒結(jié)溫度是本文研究的重點(diǎn)。
　　 本文采用高溫熔融法和溶膠-凝膠法制備兩種玻璃粉料,作為燒結(jié)助劑分別添加到Mg2(Si1-xTix)O4體系中,均使燒結(jié)溫度下降。通過討論玻璃和低熔點(diǎn)氧化鉍的添加量以及B位Si／Ti比對(duì)該體系的微觀形貌和介電性能的影響,揭示了一些改性的基本規(guī)律,得

2、到了中溫?zé)Y(jié)、介電性能優(yōu)良的Mg2(Si,Ti)O4基陶瓷。
　　 本文還對(duì)基體材料的合成路線進(jìn)行改進(jìn),最佳工藝為:1200℃煅燒2h預(yù)合成前驅(qū)體Mg2SiO4、Mg2TiO4,再二次配料合成Mg2(Si1-xTix)O4。
　　 在Mg2(Si1-xTix)O4(x=0.05、0.1、0.15、0.2)基料中,摻入2wt％的用高溫熔融法制得的玻璃,于1200℃燒結(jié)2h,所得樣品的介電損耗均在0.00012～0.0002

3、范圍內(nèi),且隨著B位Ti對(duì)Si的取代量的增加,Mg2(Si1-xTix)O4陶瓷介電常數(shù)(ε)增大,介電常數(shù)溫度系數(shù)(αε)向負(fù)值增長(zhǎng),當(dāng)Ti取代量x=0.1時(shí),1MHz下測(cè)得樣品的介電性能最佳:ε=14.2,tanδ=1.2×10-4,αε=1.7×10-6／℃,pv=4.2×1015Ω·cm；摻入2wt％的用溶膠-凝膠法制得的玻璃粉料,隨著后續(xù)熱處理溫度的升高,粉料的活性增大,陶瓷體的致密度也隨之提高；摻入2wt％的低熔點(diǎn)氧化物-氧化