水熱法制備納米鈦酸鍶鋇粉體及其燒結(jié)性能研究.pdf_第1頁
已閱讀1頁,還剩85頁未讀, 繼續(xù)免費閱讀

下載本文檔

版權(quán)說明:本文檔由用戶提供并上傳,收益歸屬內(nèi)容提供方,若內(nèi)容存在侵權(quán),請進(jìn)行舉報或認(rèn)領(lǐng)

文檔簡介

1、鈦酸鍶鋇(BST)作為一種重要的電子材料,具有介電系數(shù)可調(diào)、高絕緣電阻、低介電損耗以及介電性能和光學(xué)性能在Ba/Sr摩爾比為0~1的范圍內(nèi)連續(xù)可調(diào),同時具有優(yōu)異的化學(xué)穩(wěn)定性、熱穩(wěn)定性、絕緣性,在陶瓷電容器、高性能敏感元件、多功能半導(dǎo)體材料、超大規(guī)模動態(tài)隨機(jī)存儲器、相控陣天線和天線調(diào)配器等領(lǐng)域有著重要的應(yīng)用價值。
  本實驗利用水熱法,以BaCl2·2H2O、SrCl2·6H2O和T iCl4為原料,KOH為礦化劑,分別合成了納米級

2、Ba0.6Sr0.4T iO3、Ba0.7Sr0.3T iO3和Ba0.8Sr0.2T iO3粉體。利用XRD、SEM、XRF、FT-IR等分析測試方法對所制備的BST粉體進(jìn)行了晶相組成、晶粒形貌等性質(zhì)的分析與觀察,并研究了前驅(qū)物的初始摩爾配比、礦化劑過量濃度、反應(yīng)溫度和反應(yīng)時間等對生成BST組成、晶粒大小和形貌的影響。實驗表明:
  (1)Ba0.6Sr0.4T iO3粉體的最佳合成工藝為初始配比Ba:Sr:T i=0.8:0.

3、4:1.0, K OH過量濃度為2.20mol/L,水熱溫度為190℃,反應(yīng)時間為10h。合成粉體為立方相,粒度均勻,平均粒徑為80nm,純度高,組成穩(wěn)定,雜質(zhì)離子少,晶體形貌呈立方形或球形,具有良好的單分散性,化學(xué)組成均勻,燒結(jié)活性高。
  (2)Ba0.7Sr0.3T iO3粉體的最佳合成工藝為初始配比Ba:Sr:T i=1.0:0.3:1.0, K OH過量濃度為3.00mol/L,水熱溫度為240℃,反應(yīng)時間為10h。合成

4、粉體為立方相,平均粒徑為100nm,晶型完整,純度高,雜質(zhì)離子少,晶體形貌呈立方形或球形。
  (3)Ba0.8Sr0.2T iO3粉體的最佳合成工藝為初始配比Ba:Sr:T i=1.0:0.2:1.0, K OH過量濃度為2.20mol/L,水熱溫度為240℃,反應(yīng)時間為15h。合成粉體為立方相,粒度均勻,平均粒徑為90nm,純度高,組成穩(wěn)定,雜質(zhì)離子少,晶體形貌呈立方形。
  對水熱粉體進(jìn)行干燥方法研究后發(fā)現(xiàn)在烘箱干燥法

5、、無水乙醇洗滌法、共沸蒸餾法、真空冷凍干燥法中,真空冷凍干燥法效果較好,能有效減少顆粒的團(tuán)聚,提高燒結(jié)活性和粉體性能,同時分析探討了粉體的團(tuán)聚機(jī)理。
  在水熱合成BST納米粉體的基礎(chǔ)上,用固相方法合成了各種類型的BST粉體,并比較了兩種制備工藝的區(qū)別,同時研究了固相合成粉體的性能。對固相法合成的BST粉體與水熱法制備的粉體進(jìn)行對比分析后發(fā)現(xiàn):水熱粉體化學(xué)組成和顆粒均勻,粒徑較小,單分散性好,同時具有良好的流動性、易于成型。利用水

溫馨提示

  • 1. 本站所有資源如無特殊說明,都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請下載最新的WinRAR軟件解壓。
  • 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等,如果需要附件,請聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
  • 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙,網(wǎng)頁內(nèi)容里面會有圖紙預(yù)覽,若沒有圖紙預(yù)覽就沒有圖紙。
  • 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
  • 5. 眾賞文庫僅提供信息存儲空間,僅對用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護(hù)處理,對用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯,并不能對任何下載內(nèi)容負(fù)責(zé)。
  • 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當(dāng)內(nèi)容,請與我們聯(lián)系,我們立即糾正。
  • 7. 本站不保證下載資源的準(zhǔn)確性、安全性和完整性, 同時也不承擔(dān)用戶因使用這些下載資源對自己和他人造成任何形式的傷害或損失。

評論

0/150

提交評論