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文檔簡(jiǎn)介
1、鈦酸鍶鋇(BaxSr1-xTiO3,簡(jiǎn)稱 BST)薄膜是一種性能優(yōu)良的鐵電材料,具有非線性強(qiáng),漏電流低和熱釋電系數(shù)較高等特點(diǎn),BST的居里溫度可以通過Ba:Sr比例來調(diào)整,因而適當(dāng)組分的BST材料是一種非制冷紅外焦平面陣列的理想材料。
本論文采用超聲霧化熱解法制備了Ba0.65Sr0.35TiO3薄膜,概括了超聲霧化熱解法制備薄膜的發(fā)展現(xiàn)狀,綜述了超聲霧化熱解技術(shù)制備薄膜的生長(zhǎng)機(jī)理及其過程,討論了BST薄膜生長(zhǎng)的反應(yīng)動(dòng)力學(xué)和傳
2、輸動(dòng)力學(xué)。
TG-DSC分析表明,600℃以后,BST鈣鈦礦相逐步形成和完善,為薄膜的熱處理提供了實(shí)驗(yàn)依據(jù)。
采用了X射線衍射(XRD)、原子力顯微鏡(AFM)、掃描電子顯微鏡(SEM)等分析手段,對(duì)BST薄膜進(jìn)行了表征,研究了各種生長(zhǎng)條件如前驅(qū)體濃度、襯底溫度、載氣流速、噴霧時(shí)間、退火處理和摻雜濃度對(duì)微觀結(jié)構(gòu)的影響。確定了最佳的工藝參數(shù):前驅(qū)體濃度為0.1M,襯底溫度為500℃,載氣流速為5L/min,噴霧時(shí)間為6
3、0min,最后將制備的薄膜在650℃條件下保溫30min。采用此參數(shù)可得到均勻、致密的薄膜。研究了BST薄膜的介電性能,其相對(duì)介電常數(shù)和介電損耗分別為260~360、2.5%~4.9%,居里溫度為301K,在低頻段,BST薄膜的介電常數(shù)和介電損耗對(duì)頻率的穩(wěn)定性較好。
對(duì)BST薄膜摻雜改性進(jìn)行了研究。研究表明,過多的摻雜量會(huì)引起微觀結(jié)構(gòu)的改變,從而惡化薄膜的介電性能。本實(shí)驗(yàn)將摻雜量控制在小于2mol%范圍內(nèi)。實(shí)驗(yàn)表明:隨著摻雜量
4、的增加,相對(duì)介電常數(shù)和介電損耗均呈下降趨勢(shì),0.5mol%Ce3+和1.0mol%Ce3+分別為324~258、304~246;0.021~0.035、0.018~0.03。摻雜后的BST薄膜介電常數(shù)和介電損耗對(duì)測(cè)試頻率較未摻雜薄膜要穩(wěn)定。
分析了Ce3+對(duì)居里峰的影響。主要是因?yàn)檩^大半徑的Ce3+取代了BST中較小半徑的B位Ti4+,從而使其所在的八面體擴(kuò)張,相應(yīng)地使相鄰以Ti4+為中心的八面體受到壓縮,因此部分Ti4+“凍
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