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文檔簡介
1、該文詳細的介紹了BST薄膜在DRAM中的應用前景和現(xiàn)在存在的主要問題及解決辦法.為進一步提高介電常數(shù)并同時保持其介電損耗在較低的值,本文中采用了Sol-gel法制備多層膜的方法,XRD和AES表明多晶BaTiO<,3>/SrTiO<,3>多層膜較好的沉積于Pt/Ti/SiO<,2>/Si的襯底上.研究表明,利用多晶BaTiO<,3>/SrTiO<,3>多層膜相對于同厚度的Sa<,0.5>Sr<,0.5>TiO<,3>,BaTiO<,3>
2、,SrTiO<,3>,薄膜存在明顯的介電系數(shù)增強效應,同時保持了較低的介電損耗.在頻率為10kHz和室溫時,BaTiO<,3>,SrTiO<,3>,BaTiO<,3>(66nm)/SrTiO<,3>(66nm)和BaTiO<,3>(33nm)/SrTiO<,3>(33nm)的介電系數(shù)分別為348,270,422and660,損耗為0.0278,0.0291,0.0281and0.033.研究同時表明,BaTiO<,3>/SrTiO<,3
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