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文檔簡介
1、氧化鋅是一種Ⅱ-Ⅵ族寬禁帶氧化物半導體材料.傳統(tǒng)上,ZnO薄膜被廣泛應用于聲表面波器件、體聲波器件、氣敏傳感器、壓敏電阻、透明電極、紫外探測器等領域.近年來,ZnO作為寬禁帶半導體光電材料的研究越來越受到人們的重視.ZnO薄膜具有多項優(yōu)點,如生長溫度低,激子結合能高,受激輻射閥值低等.利用MgxZn1-xO薄膜,可以在保持ZnO六方纖鋅礦(Wurtzite)結構的同時有效調節(jié)調節(jié)薄膜的禁帶寬度,制備出基于氧化鋅的量子阱、超晶格及相關的光
2、電器件,如基于氧化鋅的紫外光探測器、紫外發(fā)光二極管和紫外激光二極管等光電子器件.該論文綜述了ZnO薄膜的各種生長技術及其原理,并概括了氧化鋅薄膜研究的最新進展.利用溶膠凝膠法成功地在石英玻璃和單晶硅片等襯底上制備出了c軸擇優(yōu)取向的ZnO薄膜,并利用X射線衍射儀、紫外-可見光光譜儀、熒光光譜儀等對ZnO薄膜的結構和性能進行了測試、分析,并研究了熱處理參數等條件對ZnO薄膜性能的影響.利用MgxZn1-xO薄膜成功實現了ZnO薄膜禁帶寬度的
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