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文檔簡介
1、ZnO是一種新型的Ⅱ~Ⅵ族寬禁帶化合物半導(dǎo)體材料,與GaN具有相近的晶格常數(shù)和禁帶寬度,作為一種短波長光電子器件的優(yōu)良材料,ZnO在光電子領(lǐng)域?qū)⒂兄笠?guī)模的應(yīng)用,它優(yōu)越的光電特性已經(jīng)引起了研究人員的普遍關(guān)注。 本論文采用溶膠-凝膠旋轉(zhuǎn)涂覆工藝,在Si(111)襯底制備了ZnO薄膜及其Al摻雜薄膜、MgxZn1-xO合金薄膜。實驗應(yīng)用正交設(shè)計的思想,結(jié)合XRD測試對制備ZnO系列薄膜的工藝條件進行了優(yōu)化。研究結(jié)果表明,在Si(11
2、1)襯底上制備具有高度c軸擇優(yōu)取向性、良好發(fā)光性能的ZnO薄膜的最佳實驗方案為:Zn+濃度為0.35mol/L,陳化溫度為50℃,預(yù)處理溫度為300℃,退火溫度為650℃;Al摻雜ZnO薄膜為:Al3+濃度1%,陳化溫度50℃,預(yù)處理溫度200℃,退火溫度750℃;MgxZn1-xO合金薄膜為:X=0.15,陳化溫度50℃,預(yù)處理溫度200℃,退火溫度550℃。 光致發(fā)光譜顯示在波長240nm激發(fā)下Si(111)襯底上ZnO薄膜
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