溶膠-凝膠法制備ZnO薄膜工藝優(yōu)化及其壓敏特性研究.pdf

1、ZnO是一種Ⅱ-Ⅵ族寬禁帶化合物半導(dǎo)體材料，在信息領(lǐng)域有著重要的應(yīng)用。隨著大規(guī)模集成電路的不斷發(fā)展，ZnO薄膜優(yōu)良的低壓壓敏特性已經(jīng)引起研究人員的普遍關(guān)注。 本文采用溶膠一凝膠法，在Si(111)襯底上使用旋轉(zhuǎn)涂覆工藝制備了ZnO薄膜。實(shí)驗(yàn)應(yīng)用正交設(shè)計(jì)的思想，結(jié)合XRD測(cè)試等方法對(duì)制備ZnO薄膜的工藝條件進(jìn)行了優(yōu)化，并對(duì)壓敏特性ZnO薄膜的制備工藝進(jìn)行了探討。結(jié)果表明：在Si(111)襯底上制備具有高度c軸擇優(yōu)取向性、結(jié)晶狀況良

2、好的ZnO薄膜的實(shí)驗(yàn)方案為：Zn<'2+>濃度為0.35mol/L、陳化溫度為50℃、預(yù)處理溫度為200℃、退火溫度為650℃；對(duì)于壓敏特性ZnO薄膜，摻雜配方為：Bi<,2>O<,3>：Sb<,2>O<,3>：Co<,2>O<,3>：MnO<,2>：Cr<,2>O<,3>：Ni<,2>O<,3>=1：2：1：1：1：1、Zn<'2+>：雜質(zhì)濃度=97 mol％/l：3 mol％/l、退火溫度750℃；Al系摻雜濃度范圍為0.001-0