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文檔簡介
1、氧化鎳是具有典型的3d電子結(jié)構(gòu)的氧化物半導(dǎo)體，是一種p型半導(dǎo)體材料，禁帶寬度是在3.6～4.0eV之間。因為氧化鎳薄膜具有優(yōu)良的光電特性，而被廣泛應(yīng)用于紫外探測器，電致變色器件，電池電極及電化學(xué)電容器等領(lǐng)域。
氧化鎳薄膜的制備方法有：磁控濺射、化學(xué)氣相沉積、分子束外延、脈沖激光沉積等。這些方法設(shè)備昂貴，技術(shù)較復(fù)雜，不易于大面積的薄膜制備。目前發(fā)展的溶膠-凝膠法則成本低廉、工藝簡單、成分均勻，適用于多元摻雜薄膜的制備。
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