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文檔簡介
1、本文采用溶膠-凝膠法旋轉(zhuǎn)涂覆工藝這種簡單的制膜方法,在Si(111)和載玻片襯底上制備了ZnO、AZO及MgxZn1-xO薄膜。研究了溶膠體系、各種熱處理條件、不同摻雜濃度及激發(fā)波長對薄膜結(jié)晶質(zhì)量、發(fā)光特性方面的影響,重點探索了在本實驗條件下獲得高度c軸擇優(yōu)取向性、發(fā)光性能較好的ZnO薄膜的制備工藝。實驗結(jié)合X射線衍射譜對薄膜的生長工藝進行了優(yōu)化:在Si(111)襯底上,前驅(qū)體濃度0.35mol/l、陳化時間96h,預(yù)熱處理溫度250℃
2、、退火溫度700℃、退火時的保溫時間為2h的條件下,制得了高度c軸擇優(yōu)取向的ZnO薄膜,其半高寬僅為0.36°。原子力顯微鏡(AFM)分析表明ZnO薄膜具有尺寸均勻的六角形晶粒形貌。透射光譜結(jié)果顯示載玻片上生長的ZnO薄膜在可見光波段的透射率達到77~87%,薄膜的禁帶寬度與ZnO體材料禁帶寬度基本相等。采用熒光分光光度計在室溫下對ZnO薄膜及摻雜薄膜進行了光致發(fā)光測試,在激發(fā)光源波長為248nm的條件下均觀察到了波長為395nm左右的
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