ZnO薄膜及其發(fā)光器件的PLD法制備研究.pdf_第1頁
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1、ZnO是一種寬禁帶半導(dǎo)體材料，為六方晶體(纖鋅礦)結(jié)構(gòu)，與GaN的晶格結(jié)構(gòu)相同。室溫下ZnO的禁帶寬度為3.37eV左右，激子束縛能為60meV，是繼GaN之后的又一理想的光電材料。 激光脈沖沉積（PLD）法是近年來發(fā)展起來的先進(jìn)的薄膜生長(zhǎng)技術(shù)，它是在高真空背景下用高能激光燒蝕ZnO靶材生成蒸發(fā)物淀積在加熱襯底上生長(zhǎng)晶體薄膜的。本論文利用PLD技術(shù)在半絕緣(001)取向的GaAs單晶片上制備ZnO薄膜，在400℃退火條件下，通過

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