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文檔簡介
1、陽極鋁箔的擴面腐蝕是提高鋁電解電容器電容量的有效方法,但由于擴面腐蝕工藝復雜,鋁箔腐蝕孔的低密度和分布的不均勻性制約了其電容量的進一步提高,同時,陽極鋁箔較低的抗折彎性能也難以滿足電容小型化要求。本文從提高鋁電極箔電蝕擴面倍率角度出發(fā),對高壓電極箔直流擴面腐蝕進行了研究。
采用硫酸-鹽酸腐蝕體系對厚度為m、99.99[%]的高純鋁光箔依次進行了預處理、發(fā)孔、擴孔等電化學腐蝕實驗,采用專用折彎機測試了腐蝕樣品的折彎性能,通過
2、SEM分析了腐蝕樣片的表面形貌,通過比容測試儀測試了化成試樣的比容量,研究了鹽酸濃度、電流密度、溫度、腐蝕時間等工藝條件對腐蝕鋁箔的電容量和折彎性能的影響規(guī)律,初步分析高壓直流腐蝕的蝕核萌生機制和蝕孔生長機理,取得以下主要成果:
鋁光箔在65℃、(5g氫氧化鈉+1g草酸鈉)/L溶液中經過100秒預處理后,去除了鋁箔表面的油污和不均勻氧化層,提高了發(fā)孔腐蝕的蝕坑密度和均勻性。同時,經過預處理的擴面腐蝕鋁箔具有更高的比容和更小
3、的失重。
預處理后的鋁箔在2mol/L鹽酸和1.5mol/L硫酸組成的腐蝕液中、80℃、0.50 A/cm2條件下腐蝕140秒后,蝕孔密集且均勻,表現出了良好的發(fā)孔腐蝕效果。
隨著發(fā)孔腐蝕液中鹽酸濃度的增加,腐蝕試樣的比容逐漸增加,當鹽酸濃度達到2.0mol/L左右時,比容出現最大值,進一步增加鹽酸濃度時,比容開始逐漸下降。
經過發(fā)孔腐蝕的鋁箔在1mol/L的鹽酸腐蝕液中、85℃、0.15 A/
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