已閱讀1頁，還剩75頁未讀， 繼續(xù)免費閱讀
版權(quán)說明：本文檔由用戶提供并上傳，收益歸屬內(nèi)容提供方，若內(nèi)容存在侵權(quán)，請進行舉報或認(rèn)領(lǐng)
文檔簡介
1、本文采用PLD方法在多種基底上生長不同Mg含量ZnMgO三元合金薄膜,并制備出光導(dǎo)型紫外探測器原型器件。對于低Mg含量薄膜,綜合考慮生長溫度、生長壓強、保溫時間以及不同基底四種因素對薄膜性能的影響。保溫時間對薄膜的影響主要體現(xiàn)在電學(xué)性能上。生長溫度較高時,薄膜晶體質(zhì)量較好。生長溫度太高時將發(fā)生MgO偏聚。壓強對薄膜結(jié)晶性能的影響相對較小,壓強太低時,晶格畸變加大。
對于高Mg含量薄膜,分別在SiO2和MgO基底上生長。在S
2、iO2基底上直接生長的高Mg含量立方MgZnO薄膜質(zhì)量差于低Mg含量的六方薄膜。借鑒“同質(zhì)緩沖層”思路,生長c-MgZnO/h-ZnMgO雙層薄膜。六方、立方薄膜中Mg含量分別為19.9 at.％和57.7 at.％。通過生長一層六方相薄膜底層,可以顯著提高頂層高Mg含量立方相薄膜的晶體質(zhì)量,立方相薄膜半高寬降低、表面形貌更加平整。雙層薄膜具有明顯的雙吸收邊,其六方底層、立方頂層的光學(xué)能帶寬度相應(yīng)為4.0 eV和4.82 eV。
溫馨提示
- 1. 本站所有資源如無特殊說明，都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請下載最新的WinRAR軟件解壓。
- 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等，如果需要附件，請聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
- 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙，網(wǎng)頁內(nèi)容里面會有圖紙預(yù)覽，若沒有圖紙預(yù)覽就沒有圖紙。
- 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
- 5. 眾賞文庫僅提供信息存儲空間，僅對用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護處理，對用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯，并不能對任何下載內(nèi)容負(fù)責(zé)。
- 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當(dāng)內(nèi)容，請與我們聯(lián)系，我們立即糾正。
- 7. 本站不保證下載資源的準(zhǔn)確性、安全性和完整性, 同時也不承擔(dān)用戶因使用這些下載資源對自己和他人造成任何形式的傷害或損失。
最新文檔
- ZnO和ZnMgO納米材料的制備及其紫外探測器研究.pdf
- ZnO薄膜的制備和紫外探測器的研究.pdf
- 硅基GaN薄膜制備及紫外探測器的初步研究.pdf
- PLD方法制備ZnO、ZnMgO薄膜及ZnMgO-ZnO量子阱結(jié)構(gòu)的研究.pdf
- 脈沖激光沉積法生長ZnMgO合金薄膜和Li-N共摻p型ZnO薄膜及紫外探測器的研制.pdf
- ZnO薄膜和ZnO紫外探測器.pdf
- GaN肖特基紫外探測器光電特性研究及GaAs襯底上生長的GaN薄膜的結(jié)構(gòu)分析.pdf
- ZnMgO薄膜及P型ZnMgO薄膜的制備.pdf
- 紫外預(yù)警成像紫外探測器.pdf
- ZnO基薄膜及其紫外光電探測器的制備和特性研究.pdf
- TiO2薄膜及其紫外光電探測器的制備和研究.pdf
- MSM結(jié)構(gòu)InGaZnO紫外探測器的制備及性能研究.pdf
- 氧化鎵薄膜光電導(dǎo)日盲紫外探測器的研制.pdf
- MSM結(jié)構(gòu)紫外探測器制備與性能研究.pdf
- ZnO紫外探測器的研究.pdf
- PLD方法生長ZnO-ZnMgO量子阱及結(jié)構(gòu)、光學(xué)性能研究.pdf
- TiO2薄膜磁控濺射制備及其MSM結(jié)構(gòu)紫外光電探測器的研制.pdf
- ZnO基紫外探測器的制備及其結(jié)構(gòu)的優(yōu)化.pdf
- AlGaN日盲紫外探測器材料生長及表征.pdf
- 硅基GaN薄膜材料及紫外探測器原型器件研究.pdf
評論
0/150
提交評論