化學(xué)機(jī)械拋光的流動(dòng)性能和溫度場(chǎng)的計(jì)算.pdf_第1頁
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1、隨著集成電路(Integrated Circuit，IC)組件的特征尺寸的逐漸減小，集成度的提高、多層布線數(shù)目的增加以及新材料的引入，對(duì)其表面的平整度要求越來越來高；另外，為了提高計(jì)算機(jī)磁盤的存儲(chǔ)密度，磁頭和磁盤的表面的粗糙度需要到達(dá)納米級(jí)，表面的全局平整度要求已成為當(dāng)今電子工業(yè)所面臨的挑戰(zhàn)，而傳統(tǒng)的表面加工手段已很難達(dá)到加工要求，而化學(xué)機(jī)械拋光(Chemical MechanicalPolishing/Planarization，CM

2、P)已成為唯一的最有效加工手段，從實(shí)踐中廣泛地發(fā)展起來，對(duì)CMP的研究也成為當(dāng)今的熱點(diǎn)問題。 本文主要是應(yīng)用流體力學(xué)理論對(duì)其流動(dòng)性能的研究，首先推導(dǎo)了CMP拋光過程一般情況下的流動(dòng)方程，介紹了流動(dòng)方程求解過程，給出了一個(gè)典型工況下的壓力分布，法向載荷、轉(zhuǎn)矩、節(jié)距、姿態(tài)角和拋光墊轉(zhuǎn)速之間的變化關(guān)系，并進(jìn)一步分析和考慮了拋光墊表面特性和納米級(jí)粒子作用下的流動(dòng)性能，同時(shí)運(yùn)用熱力學(xué)理論，對(duì)在拋光墊粗糙接觸下的溫度場(chǎng)進(jìn)行了模擬和計(jì)算，研究

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