疊層TSOP封裝的開發(fā).pdf

1、復(fù)旦大學(xué)碩士學(xué)位論文疊層TSOP封裝的開發(fā)姓名：吳海申請學(xué)位級別：碩士專業(yè)：材料工程指導(dǎo)教師：顧志光汪曉輝20071208摘要便攜式電子設(shè)備，如移動電話，移動個人計算機，數(shù)碼相機，數(shù)碼攝像機，便攜數(shù)碼音樂播放機，掌上游戲機等的同益普及和產(chǎn)品的功能款式等的不斷推陳出新已經(jīng)成為系統(tǒng)封裝技術(shù)發(fā)展的主要的驅(qū)動力。通過封裝來實現(xiàn)系統(tǒng)集成的SiP(SysteminPackage)是目盼封裝技術(shù)丌發(fā)和應(yīng)用的熱點，三維(3D)疊層封裝作為實現(xiàn)系統(tǒng)封裝的

2、一種重要形式J下得到越來越廣泛的應(yīng)用，特別是在存儲器件應(yīng)用中，通過疊層來集成不同種類的存儲器來實現(xiàn)一定的系統(tǒng)功能，或者通過疊層同一存儲器來實現(xiàn)存儲密度的倍增。將疊層封裝技術(shù)引入到傳統(tǒng)的，主要用于動態(tài)隨機存儲器，快閃存儲器等存儲器件封裝的TSOP(ThinSmallOutlinePackage)封裝中，可大大提高存儲密度，適應(yīng)嵌入式應(yīng)用市場的要求。本文介紹了三種用于閃存器件的封裝厚度為1mm的疊層TSOP(StakedDieThinSma

3、llOutlinePackageorSDTSOP)的工藝開發(fā)工作。包括使用非導(dǎo)電膠體狀粘接膠水(DieAttachPaste)的2個NOR閃存晶片和1個SiliconSpacer的21結(jié)構(gòu)的疊層TSOP封裝；使用高分子干膜晶片粘接材料(DieAttachFilm)的4個NAND洲存晶片錯位堆疊的ChiponLead的疊層TSOP封裝：使用鍵合線嵌入式高分子干膜晶片粘接材料(Film—OverWireDieAttachFilm)的4個NA

4、NDl’^】存晶片垂直準疊的疊層TSOP封裝。在進行2個NOR閃存晶片21疊層方式的TSOP封裝的開發(fā)工作中，通過對銅合會引線框架表面進行棕氧化處理來增強框架與粘接材料間粘附性，以及選擇合適的粘接膠水，從而消除了經(jīng)老化處理后，非導(dǎo)電晶片粘接膠水材料和銅合金引線框架的晶片襯摯(DiePaddle)之間的界面分層現(xiàn)象，解決了這種封裝形式的可靠性問題。使用高分子干膜晶片粘接材料和ChiponLead(COL)鐵鎳(Alloy42)引線框架的4

5、個NAND閃存晶片錯位疊層的TSOP封裝的丌發(fā)工作中，通過大量實驗分析，決定采用Tape—onBoRomCoL引線框架，以解決Tape—On—TopCoL引線框架出現(xiàn)的膠帶的膠黏劑層和模注樹脂以及引線框架之間的界面分層問題。此外，還詳細介紹了干膜晶片粘貼工藝的丌發(fā)工作，從材料性能和工藝性能兩個方面對高分予干膜晶片粘接材料進行了精選，總結(jié)了高分子干膜晶片粘接材料應(yīng)用中所出現(xiàn)的各種問題以及相應(yīng)的解決方法，如：晶圓切割產(chǎn)生的切割須，晶片粘貼時