B、Al、Ge摻雜CoSi化合物的微觀組織和熱電性能.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、本文用B、Al、Ge三種元素對CoSi合金的硅側(cè)進行置換，分別研究了三種元素?fù)诫s后CoSi化合物的微觀組織和熱電性能。采用熔融退火法制備了CoSi1-xBx（x=0，0.003，0.005，0.008，0.01，0.02）、CoSi1-yAly（y=0.04，0.08，0.12，0.16，0.20）和CoSi1-zGez（z=0.01，0.02，0.04）多晶試樣，用電子探針背散射和X射線衍射對試樣的微觀組織進行了分析。采用懸浮區(qū)熔法

2、制備了CoSi、CoSi0.995B0.005及CoSi1-yAly（y=0.04，0.08，0.12，0.16）單晶試樣，用勞厄背散射法對CoSi單晶的生長方向進行了確定。對B、Al摻雜的CoSi0.995B0.005及CoSi1-yAly（y=0.04，0.08，0.12，0.16）單晶試樣和Ge摻雜的CoSi0.98Ge0.02多晶試樣的熱電性能進行了測試和分析，試驗溫度范圍為300K～973K。與未摻雜CoSi相比，B摻雜后C

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