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文檔簡介
1、該文對新結(jié)構(gòu)低功耗IGBT——LPL-IGBT縱向結(jié)構(gòu)的仿真優(yōu)化做了詳盡論述.與現(xiàn)有IGBT相比較,LPL-IGBT在結(jié)構(gòu)上保留了NPT-IGBT中的透明發(fā)射區(qū)和高載流子壽命的本質(zhì)優(yōu)點(diǎn),同時又具有PT-IGBT中n/n<'+>復(fù)合薄耐壓層的優(yōu)點(diǎn);在器件性能上,LPL-IGBT不僅具有比NPT-IGBT更低的能量損耗(包括通態(tài)損耗和開關(guān)損耗),而且其余性能如器件耐壓、電流密度、安全工作區(qū)以及制造成本等相對現(xiàn)有NPT-IGBT均有明顯改善.
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