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1、微通道板(MCP)防離子反饋膜本質(zhì)上是一種超薄非晶念A(yù)l2O3連續(xù)膜,研究MCP防離子反饋膜及其對Ⅲ代微光管影響的目的是就是為了提高Ⅲ代微光管的性能.二極驟冷磁控濺射技術(shù)是制備MCP防離子反饋膜的一種比較先進(jìn)的技術(shù)方案,其中MCP不浸水工藝制備的掩膜提高了防離子反饋膜的質(zhì)量,紫外輻射脫膜降低了帶膜MCP通道內(nèi)表面的碳污染.本文實驗測試和理論分析了防離子反饋膜和帶膜MCP的性能,得到了低濺射率MCP防離子反饋膜成膜的最佳條件,指出防離子反
2、饋膜能有效地透過電子,阻止反饋離子;MCP帶膜后電子增益下降,體電阻增加,暗電流降低,探測效率下降.二極驟冷磁控濺射技術(shù)制備防離子反饋膜的工藝條件是苛刻的,偏離最佳成膜條件不能在MCP上形成連續(xù)膜,而且造成MCP通道表面嚴(yán)重的碳污染.無碳污染的MCP防離子反饋膜新工藝方法是提高Ⅲ代微光管性能的有效途徑.新工藝由自持連續(xù)有機(jī)襯底的制備、鋁膜的沉積和防離子反饋膜的貼附三道工序組成.新工藝避免了MCP同水及有機(jī)膜的直接接觸,MCP的通道內(nèi)表面
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