CMOS基V波段毫米波低噪聲放大器.pdf

1、低噪聲放大器(LNA)是無線系統(tǒng)前端中重要器件,其性能決定了整個接收機的信噪比及整機性能。本文首先在介紹了低噪聲放大器的工作原理之基礎(chǔ)上,綜述了CMOS基毫米波低噪聲放大器的最新研究成果,展望了CMOS基毫米波低噪聲放大器技術(shù)的發(fā)展趨勢。 在另一方面當(dāng)前的集成電路設(shè)計技術(shù),計算機輔助模擬已成為一種不可缺少的工具。電路模擬器能否用于大規(guī)模集成電路的設(shè)計和分析取決于模擬器中所采用的器件模型,以及該模型中模型參數(shù)的準(zhǔn)確性。在集成電路制

2、造業(yè)中,器件模型同樣非常重要。模型參數(shù)對應(yīng)集成電路生產(chǎn)工藝,工藝參數(shù)的細微變化都會引起該工藝的模型參數(shù)發(fā)生相應(yīng)的變化。通過觀察模型參數(shù)可以監(jiān)視工藝的穩(wěn)定性。當(dāng)產(chǎn)品發(fā)生失效現(xiàn)象時,分析模型參數(shù)是做產(chǎn)品失效分析的一個重要手段。 本論文的主要工作分為兩個部分： 1.本論文選取目前業(yè)界占主流地位的BSIM3(Berkeley short-channel IGFETmodel)為將要提取的模型,它是專門為短溝道MOS場效應(yīng)晶體管而

3、開發(fā)的一種模型。論文首先詳細分析了BSIM3模型的特點,隨后根據(jù)參數(shù)提取的需要,確定了器件組的尺寸。數(shù)據(jù)測量結(jié)束后,采用了多器件模型提取的方法提取了IBM0.13umCMOS工藝的BSIM模型參數(shù),最后采用子電路的形式對MOSFET進行了RF建模。 2.本論文基于IBM 0.13um CMOS工藝設(shè)計和研制了V波段低噪聲放大器芯片。該放大器芯片采用了共源共柵結(jié)構(gòu)降低噪聲,提高了增益。本論文詳細分析了共源共柵級聯(lián)源極負(fù)反饋結(jié)構(gòu)的低