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1、隨著移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)對(duì)無(wú)線通信速率需求的巨大增長(zhǎng),高速毫米波無(wú)線通信成為通信領(lǐng)域的研究熱點(diǎn),并陸續(xù)有標(biāo)準(zhǔn)頒布。新的應(yīng)用場(chǎng)景對(duì)于毫米波集成電路設(shè)計(jì)也提出了新的要求。相較于傳統(tǒng)Ⅲ-Ⅴ族化合物半導(dǎo)體工藝的毫米波集成電路,CMOS工藝在成本和系統(tǒng)集成度方面具有顯著優(yōu)勢(shì),成為通信領(lǐng)域的研究熱點(diǎn)。功率放大器是無(wú)線收發(fā)系統(tǒng)的關(guān)鍵電路模塊,本文針對(duì)下一代短距離高速無(wú)線通信Q-LINKPAN-S/IEEE802.11aj(45GHz),采用TSMC90nm C
2、MOS工藝設(shè)計(jì)并加工了Q波段的功率放大器芯片。論文的研究?jī)?nèi)容分為如下部分:
1)分析了TSMC90nm CMOS工藝的無(wú)源以及有源器件模型,針對(duì)其九層金屬結(jié)構(gòu)的特點(diǎn)設(shè)計(jì)無(wú)源器件,并通過電磁仿真和建模得到了電容、電感、傳輸線等常用無(wú)源器件的電路模型。
2)設(shè)計(jì)完成了適用于硅基工藝的功率合成結(jié)構(gòu)。傳輸線結(jié)構(gòu)Wilkinson、零相位功率合成器等存在面積較大且功能單一的缺陷,而本文利用變壓器則可實(shí)現(xiàn)較小的面積實(shí)現(xiàn)功率合成、
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