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文檔簡介
1、隨著移動互聯(lián)網對無線通信速率需求的巨大增長，高速毫米波無線通信成為通信領域的研究熱點，并陸續(xù)有標準頒布。新的應用場景對于毫米波集成電路設計也提出了新的要求。相較于傳統(tǒng)Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體工藝的毫米波集成電路，CMOS工藝在成本和系統(tǒng)集成度方面具有顯著優(yōu)勢，成為通信領域的研究熱點。功率放大器是無線收發(fā)系統(tǒng)的關鍵電路模塊，本文針對下一代短距離高速無線通信Q-LINKPAN-S/IEEE802.11aj(45GHz)，采用TSMC90nm C
2、MOS工藝設計并加工了Q波段的功率放大器芯片。論文的研究內容分為如下部分:
1)分析了TSMC90nm CMOS工藝的無源以及有源器件模型，針對其九層金屬結構的特點設計無源器件，并通過電磁仿真和建模得到了電容、電感、傳輸線等常用無源器件的電路模型。
2)設計完成了適用于硅基工藝的功率合成結構。傳輸線結構Wilkinson、零相位功率合成器等存在面積較大且功能單一的缺陷，而本文利用變壓器則可實現(xiàn)較小的面積實現(xiàn)功率合成、
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