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文檔簡介
1、在常壓下,SiHCl<,3>/H<,2>體系在Si襯底表面上進行的氣相外延生長是目前生長單晶硅最廣泛、最重要的方法.該論文將量子化學與分子反應動力學相結合,采用密度泛函理論方法,依據(jù)過渡態(tài)理論,首次全面系統(tǒng)地對此反應體系的微觀反應機理進行了理論研究.根據(jù)實驗檢測到的產物以及由Hitoshi Habuka等人所提出的SiHCl<,3>/H<,2>反應體系的外延生長過程,首先設計了該反應體系在氣相中的可能反應通道和在Si襯底表面上的可能反應
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