PZT膜的應(yīng)力效應(yīng)和CCTO替代效應(yīng)研究.pdf

1、鐵電材料在鐵電存儲器、紅外探測器、聲表面波和集成光電器件等固態(tài)器件方面有著非常重要的應(yīng)用，極大地推動了鐵電物理學及鐵電材料的研究和發(fā)展。目前應(yīng)用最好的是具有ABO3鈣鈦礦結(jié)構(gòu)的Pb(Zr，Ti)O3(PZT)系列。在居里溫度附近，PZT薄膜具有極高的介電常數(shù)(可達1000-10000)，但是PZT薄膜的鐵電、介電性質(zhì)會受到它生長的襯底的影響。本文的第一部分用修正的朗道熱力學理論研究在Mg0襯底上生長的Pb(Zr0.7，Ti0.3)O3薄

2、膜的鐵電和介電性質(zhì)。注意到薄膜制備過程中產(chǎn)生的熱應(yīng)力隨位置變化并由彈性力學決定其形式，發(fā)現(xiàn)PZT膜中兩相共存，從而影響其鐵電、介電性質(zhì)。
　　 CCTO(CaCu3Ti4O12)陶瓷樣品具有高達10000的相對介電常數(shù)，并且在100K-600K之間相對介電常數(shù)值基本不隨溫度變化。在100K附近，其介電常數(shù)有2-3個量級的降低，卻沒有發(fā)現(xiàn)任何結(jié)構(gòu)相變的發(fā)生。但是對于其高介電的起因仍存在爭議。本文研究A位替代對CCTO類材料介電常數(shù)