無機(jī)納米聚酰亞胺薄膜耐局部放電測(cè)量及其特性研究.pdf

1、隨著電力電子技術(shù)的飛速發(fā)展，變頻調(diào)速技術(shù)得到了廣泛的使用，在其帶來大量?jī)?yōu)點(diǎn)的同時(shí)也伴隨著電機(jī)內(nèi)部絕緣的過早破壞。杜邦公司研制的耐電暈型聚酰亞胺薄膜以其優(yōu)異的耐局部放電性能在變頻系統(tǒng)中得到了充分的應(yīng)用，但其合成方法保密，而其耐局部放電機(jī)理更是無人知曉。 該文設(shè)計(jì)制作了擊穿試驗(yàn)裝置和薄膜材料耐局部放電測(cè)試系統(tǒng)，對(duì)杜邦公司提供的聚酰亞胺薄膜進(jìn)行了試驗(yàn)，試驗(yàn)結(jié)果與杜邦公司提供的數(shù)據(jù)相近。同時(shí)對(duì)大量自制雜化膜擊穿特性的測(cè)試發(fā)現(xiàn)，當(dāng)雜化膜中

2、二氧化硅含量或粉體硅鋁含量為4％時(shí)，雜化膜的擊穿性能較好。 電老化閾值是指絕緣材料在電場(chǎng)作用下引起內(nèi)部出現(xiàn)受陷空間電荷積累的最小電場(chǎng)強(qiáng)度，它可作為安全使用絕緣材料的最高電場(chǎng)值。該文采用電導(dǎo)電流方法分別測(cè)試了杜邦公司納米雜化聚酰亞胺薄膜(100CR)和原始聚酰亞胺薄膜(100HN)未老化、10kV/mm、20kV/mm電暈強(qiáng)度8小時(shí)老化后的電導(dǎo)電流，發(fā)現(xiàn)雜化膜的電流量比原始膜大近一個(gè)數(shù)量級(jí)，雜化膜未老化時(shí)的閾值為40kV/mm，而

3、原始膜為35kV/mm，且兩者的電老化閾值均隨電老化強(qiáng)度的增加而減小。 通過對(duì)兩種薄膜170℃退極化電流的測(cè)試結(jié)果得出，雜化膜退極化電流下降迅速，受陷電荷量多；無機(jī)納米雜化聚酰亞胺膜的載流子視在遷移率隨退極化時(shí)間變化范圍為1.2×10-13m2/Vs～3×10-14m2/Vs，而原始膜則為1.12×10-13m2/Vs～8×10-14m2/Vs；陷阱深度隨退極化時(shí)間變化范圍分別為1.045eV～1.103eV和1.042eV～1