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1、該文是利用等離子體化學(xué)氣相淀積法(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition,PECVD),在低溫低壓下,使用有機(jī)物TEOS(正硅酸四乙脂,Tetraethylorthosilicate,Si(C<,2>H<,5>O)<,4>)為反應(yīng)源在硅片表面上生長(zhǎng)P-SiO<,2>介質(zhì)膜以及P-SiON鈍化膜,利用制程參數(shù)(RF功率、基板溫度、氣體流量以及反應(yīng)壓力)的改變,來(lái)探討對(duì)薄膜的生長(zhǎng)特性、硬度、應(yīng)力、
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