太陽(yáng)能多晶硅錠中夾雜的分布特性及其成因.pdf

1、近年來(lái)，太陽(yáng)電池發(fā)電受到了人們的日益重視。硅是當(dāng)前用來(lái)制造太陽(yáng)能電池的主要材料，目前鑄造多晶硅已經(jīng)成功取代直拉單晶硅而成為最主要的太陽(yáng)能電池材料。深入地研究材料中雜質(zhì)有利于生產(chǎn)出高成品率的鑄造多晶硅錠，降低鑄造多晶硅太陽(yáng)能電池的制造成本，同時(shí)也是制備高效率鑄造多晶硅太陽(yáng)能電池的前提。 本文對(duì)多晶硅錠中的夾雜及其在錠中的分布作了深入的研究。多晶硅錠中經(jīng)常出現(xiàn)硬質(zhì)夾雜顆粒，嚴(yán)重影響線切割硅片的表面質(zhì)量，嚴(yán)重時(shí)造成硅片切割生產(chǎn)中斷線。

2、我們采用光學(xué)顯微鏡、掃描電鏡一特征X射線能譜儀、X射線衍射儀等手段對(duì)定向凝固多晶硅錠中的夾雜進(jìn)行了分析。采用溶解硅基體后沉淀萃取的方法取得硅錠不同部位的夾雜。分析結(jié)果表明，硅錠中夾雜的物相主要有兩種：β-SiC和β-Si<,3>N<,4>，SiC的數(shù)量較多；二者形貌有顯著區(qū)別：前者呈不規(guī)則塊狀，而后者則呈平直桿狀。硅錠的頂表面附近夾雜高度富集，但內(nèi)部仍有大于100微米的較大的碳化硅夾雜顆粒偶爾出現(xiàn)。 實(shí)驗(yàn)表明，對(duì)冶金硅，其內(nèi)部的