基于磁場(chǎng)調(diào)控化學(xué)沉積進(jìn)行金屬納米結(jié)構(gòu)制備的研究.pdf

1、隨著微電子學(xué)的快速發(fā)展，具有小功耗、快速、高集成度特征的納米電子器件作為下一代器件而備受關(guān)注。如何有效方便的制備出納米結(jié)構(gòu)是制備納米電子器件的第一步，也是其關(guān)鍵所在。納米尺度的磁性材料，由于其在高密度磁存儲(chǔ)、磁性傳感器以及低維體系中探討磁現(xiàn)象基本規(guī)律等方面有著廣泛的應(yīng)用前景而引起人們的極大興趣與關(guān)注。 本文提出了在磁場(chǎng)誘導(dǎo)的作用下，利用選擇性化學(xué)沉積制備納米結(jié)構(gòu)的新方法。本文的主要工作如下： 1、通過無(wú)模板法在磁場(chǎng)誘導(dǎo)下

2、利用溶液中鎳離子與聯(lián)胺的氧化還原反應(yīng)機(jī)理制備得到了金屬鎳的納米線。對(duì)制備得到的鎳納米線進(jìn)行形貌結(jié)構(gòu)與磁學(xué)性質(zhì)的表征。在普通光刻工藝制備的金電極上，利用基于分子組裝的鎳選擇性化學(xué)沉積方法獲得鎳電極，再將鎳納米線通過磁場(chǎng)誘導(dǎo)組裝獲得連接電極對(duì)的納米結(jié)構(gòu)。 2、結(jié)合磁場(chǎng)誘導(dǎo)與選擇性化學(xué)沉積，在微米級(jí)間隙金電極界面上原位生長(zhǎng)鎳納米線。通過對(duì)條件的選擇優(yōu)化，得到了鎳納米線陣列結(jié)構(gòu)和鎳納米間隙電極。對(duì)制備的各種納米結(jié)構(gòu)形貌運(yùn)用SEM及其ED

3、XA能譜分析系統(tǒng)等進(jìn)行了表征。 3、以分子自組裝膜的掩模紫外曝光圖形為模板，垂直磁場(chǎng)誘導(dǎo)下運(yùn)用選擇性化學(xué)沉積制備鎳金屬微圖形。通過運(yùn)用TEM、SEM及其EDXA能譜分析系統(tǒng)等對(duì)產(chǎn)物進(jìn)行形貌表征和結(jié)構(gòu)分析。結(jié)果表明，通過外磁場(chǎng)的誘導(dǎo)作用，制備的微圖形能夠較好復(fù)制掩模板的形貌，且圖形薄膜更為均勻致密，顆粒大小均一，進(jìn)一步表明這種方法具有較好的限域沉積效果和分辨率。 本文結(jié)合磁場(chǎng)誘導(dǎo)與選擇性化學(xué)沉積，發(fā)展了一種新型的制備磁性金