基于PAA模板電沉積制備一維超結構納米材料.pdf

1、一維結構納米材料因其獨特的物理化學性質以及在眾多領域，如在介觀物理和納米器件等，所顯示出的潛在應用而受到普遍的重視。探索和發(fā)展制備一維納米材料的有效方法是一維結構納米材料研究領域的重要基礎。研究表明，納米材料的性能強烈依賴于材料微結構的形狀和大小，因此探索開發(fā)對一維納米材料的形貌、結構、大小和分布等可控的制備方法具有重要的研究意義。本文利用多孔氧化鋁（PAA）為模板，采用電化學沉積的方法制備了具有多孔結構的In-Te納米線陣列和超晶格結

2、構的Bi/Sb納米線陣列。利用掃描電子顯微鏡(SEM)、透射電子顯微鏡(TEM)對納米線的形貌及結構進行了表征，使用X射線衍射(XRD)、X射線能譜(EDS)等對納米線的晶體結構和成分進行了表征，并使用四探針電阻儀測試分析了納米線的電學性能。
　　采用二次陽極氧化法，在0.3 M草酸電解液中，40 V電壓下制備了孔徑為50 nm左右的多孔陽極氧化鋁模板?？讖酱笮【?，孔道筆直有序。
　　在室溫下，以PAA為模板，采用脈沖電沉

3、積方法成功制備出了銦-碲(In-Te)多孔納米線陣列。對制備樣品的形貌、結構、成分等進行了表征，分析結果表明該納米線陣列直徑大約為50 nm，排列整齊，致密均一，表現(xiàn)出結晶良好的表面呈現(xiàn)多孔狀的一維結構，孔徑均勻。使用電化學工作站分析研究了納米線陣列的電沉積生長機理。通過調整脈沖沉積時間，實現(xiàn)了對納米線的孔結構的調控。I-V曲線表明，In-Te多孔納米線陣列有很好的肖特基結性能。
　　利用PAA模板電化學沉積法制備了Bi/Sb超晶