AAO模板及釹化合物一維納米材料的制備與結(jié)構(gòu)表征.pdf

1、陽極氧化鋁膜制備工藝簡單，具有孔徑分布均勻、孔密度高、孔洞之間互相不連通，取向一致的特點，并且可根據(jù)實際需要調(diào)控孔徑大小，是制備納米結(jié)構(gòu)的理想模板之一。本文采用二次氧化法成功制備了具有規(guī)則納米孔洞的陽極氧化鋁模板，并對模板的制備工藝及其對陽極氧化鋁模板的影響進行了詳細的研究；采用陽極氧化鋁膜為模板成功合成了含釹化合物一維納米結(jié)構(gòu)。 (1)以高純鋁片(純度為99.99％)為陽極，石墨電極為陰極，采用二次陽極氧化法在草酸溶液中對鋁片

2、進行陽極氧化，制備陽極氧化鋁模板。詳細研究了電解液濃度(0.2mol/L，0.3mol/L，0.4mol/L、二次氧化時間(2h，4h，6h)、二次氧化電壓(45V，40V，35V)等工藝條件對模板形貌的影響；研究了原始鋁片表面粗糙度對膜孔生長方向的影響。結(jié)果表明：在實驗參數(shù)范圍內(nèi)模板孔徑大小、均勻度及孔的有序性均隨電解液濃度及二次氧化電壓增加而提高。二次氧化時間對模板孔徑大小影響較小，孔的有序度隨時間增長而提高；原始鋁片微米級的粗糙表

3、面(本實驗，5～30um)嚴重影響模板孔洞的生長方向，而100納米以下的表面缺陷對管的生長幾乎沒有影響。 (2)以硝酸釹和尿素為主要原料，多孔陽極氧化鋁膜(AAO)為模板，分別采用普通浸滲和壓力浸滲法制備了氧化釹納米線。采用掃描電子顯微鏡(SEM)、透射電子顯微鏡(TEM)，X射線衍射儀(XRD)和能譜儀(EDS)對納米線的形貌，結(jié)構(gòu)及組成進行了表征。結(jié)果表明：兩種浸滲方法均可得到氧化釹納米線，壓力溶膠浸滲有利于模板納米孔填充度