已閱讀1頁，還剩60頁未讀， 繼續(xù)免費閱讀
版權(quán)說明：本文檔由用戶提供并上傳，收益歸屬內(nèi)容提供方，若內(nèi)容存在侵權(quán)，請進(jìn)行舉報或認(rèn)領(lǐng)
文檔簡介
1、該論文主要研究了ULSI中銅互連線的微觀結(jié)構(gòu)和應(yīng)力及其對與電徙動MTF的影響.采用AFM、SEM和TEM測評晶粒結(jié)構(gòu).受到凹槽側(cè)壁形核的影響,沉積態(tài)銅互連線隨線寬的增加,平均晶粒尺寸從20~30nm增至80~90nm,銅膜晶粒尺寸約為300nm;3μm銅互連線的中間區(qū)域晶粒尺寸小于側(cè)壁處晶粒尺寸;退火后,銅互連線晶粒長大,而且晶粒長大程度隨線寬的增加而增加.利用XRD和EBSD測量了銅互連線的晶體學(xué)取向,沉積態(tài)銅互連線的(111)織構(gòu)明
2、顯弱于沉積態(tài)銅膜;300℃、30min退火后,銅互連線(111)織構(gòu)增強(qiáng);Cu晶粒明顯長大和應(yīng)變能最小化使得銅互連線和銅膜分別經(jīng)過較高溫度400℃和450℃、1h退火后,(111)織構(gòu)并未發(fā)展.通過SIMS和AES分析SiON和Ta擴(kuò)散阻擋層,結(jié)果顯示兩種阻擋層均可以有效防止銅向SiO<,2>層擴(kuò)散.二維面探測XRD結(jié)果表明沉積態(tài)銅互連線中存在拉應(yīng)力,其主要由熱應(yīng)力產(chǎn)生.200℃退火后,銅互連線拉應(yīng)力得到松弛.1、2和4μm寬銅互連線M
溫馨提示
- 1. 本站所有資源如無特殊說明，都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請下載最新的WinRAR軟件解壓。
- 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等，如果需要附件，請聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
- 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙，網(wǎng)頁內(nèi)容里面會有圖紙預(yù)覽，若沒有圖紙預(yù)覽就沒有圖紙。
- 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
- 5. 眾賞文庫僅提供信息存儲空間，僅對用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護(hù)處理，對用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯，并不能對任何下載內(nèi)容負(fù)責(zé)。
- 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當(dāng)內(nèi)容，請與我們聯(lián)系，我們立即糾正。
- 7. 本站不保證下載資源的準(zhǔn)確性、安全性和完整性, 同時也不承擔(dān)用戶因使用這些下載資源對自己和他人造成任何形式的傷害或損失。
最新文檔
- VLSI鋁互連線的微區(qū)應(yīng)力與微結(jié)構(gòu)的研究.pdf
- ULSI中互連線延遲時間的研究.pdf
- 銅互連線電遷移可靠性研究及其壽命預(yù)測.pdf
- 銅互連線電遷移和錫須生長研究.pdf
- ULSI銅互連中電遷移可靠性研究及其工藝整合優(yōu)化.pdf
- 具有側(cè)面冗余的銅互連線的電遷移效應(yīng)研究.pdf
- 28nm銅互連電容模型及熱處理對互連線的影響.pdf
- ULSI片內(nèi)互連線寄生參數(shù)提取及應(yīng)用.pdf
- ULSI銅互連層CMP拋光液研究.pdf
- 對用于互連線的銅脈沖電鍍沉積層的研究.pdf
- 銅微互連線的原子遷移失效研究.pdf
- 芯片內(nèi)互連線電特性研究與應(yīng)用.pdf
- 金屬互連線電遷移失效的試驗研究與壽命評價.pdf
- 銅互連應(yīng)力遷移測試技術(shù)與應(yīng)力釋放機(jī)理研究.pdf
- 碳納米管互連線電特性的研究.pdf
- 銅互連電遷移壽命模型研究.pdf
- 高速集成電路互連線電特性分析.pdf
- 考慮互連線影響的集成電路布局及其優(yōu)化.pdf
- Air-gap銅互連結(jié)構(gòu)的熱應(yīng)力分析.pdf
- 金屬襯底對電沉積銅互連層氧化可靠性能的影響.pdf
評論
0/150
提交評論