已閱讀1頁，還剩35頁未讀， 繼續(xù)免費(fèi)閱讀
版權(quán)說明：本文檔由用戶提供并上傳，收益歸屬內(nèi)容提供方，若內(nèi)容存在侵權(quán)，請(qǐng)進(jìn)行舉報(bào)或認(rèn)領(lǐng)
文檔簡(jiǎn)介
1、由于傳統(tǒng)的硅的生產(chǎn)技術(shù)已經(jīng)很成熟,所以在光電集成中,依然采用晶體硅作為基底,繼續(xù)沿用高度發(fā)展的硅集成工藝.如果能夠使硅基材料在可見光范圍內(nèi)具有良好的發(fā)光特性,那么這種重要的半導(dǎo)體材料則有可能在飛速發(fā)展的光電子學(xué)中成為下一代電子學(xué)革命的基礎(chǔ)材料.該論文研究的目標(biāo)是探討半導(dǎo)體顆粒在硅基薄膜中的形成機(jī)理,研究的結(jié)果不但有利于確定制備特定結(jié)構(gòu)的硅基薄膜,而且亦有利于其發(fā)光機(jī)理的進(jìn)一步探索.論文采用雙離子束濺射和射頻磁控濺射沉積技術(shù),通過改變薄膜
溫馨提示
- 1. 本站所有資源如無特殊說明，都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請(qǐng)下載最新的WinRAR軟件解壓。
- 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等，如果需要附件，請(qǐng)聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
- 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙，網(wǎng)頁內(nèi)容里面會(huì)有圖紙預(yù)覽，若沒有圖紙預(yù)覽就沒有圖紙。
- 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
- 5. 眾賞文庫僅提供信息存儲(chǔ)空間，僅對(duì)用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護(hù)處理，對(duì)用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯，并不能對(duì)任何下載內(nèi)容負(fù)責(zé)。
- 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當(dāng)內(nèi)容，請(qǐng)與我們聯(lián)系，我們立即糾正。
- 7. 本站不保證下載資源的準(zhǔn)確性、安全性和完整性, 同時(shí)也不承擔(dān)用戶因使用這些下載資源對(duì)自己和他人造成任何形式的傷害或損失。
最新文檔
- 硅基薄膜中半導(dǎo)體顆粒的形成機(jī)理及其相關(guān)物性.pdf
- 金屬和半導(dǎo)體顆粒復(fù)合硅基薄膜的結(jié)構(gòu)及發(fā)光特性的研究.pdf
- 硅基半導(dǎo)體上氧化鋅薄膜的研究.pdf
- 硅基稀磁半導(dǎo)體薄膜的制備及其結(jié)構(gòu)和輸運(yùn)性質(zhì)的研究.pdf
- 寬帶隙半導(dǎo)體ZnO(及SiC)薄膜的制備及其物性研究.pdf
- Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ2族半導(dǎo)體納米顆粒的合成及其薄膜制備.pdf
- Al(In)N半導(dǎo)體薄膜的制備與物性研究.pdf
- 硅基稀土摻雜氧化物半導(dǎo)體薄膜電致發(fā)光器件.pdf
- 半導(dǎo)體薄膜場(chǎng)發(fā)射機(jī)理研究.pdf
- 硅基薄膜中金屬顆粒對(duì)發(fā)光特性的影響.pdf
- 氧化鋅納米線基半導(dǎo)體薄膜的制備及其特性.pdf
- 磁性顆粒薄膜和稀磁半導(dǎo)體材料的自旋相關(guān)輸運(yùn)性能的研究.pdf
- GaN基半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)構(gòu)中的應(yīng)力相關(guān)效應(yīng).pdf
- NiO基半導(dǎo)體光電薄膜的制備及性能研究.pdf
- ZnO基稀磁半導(dǎo)體薄膜材料的PLD制備及其性質(zhì)研究.pdf
- 有機(jī)半導(dǎo)體薄膜生長及其性質(zhì)研究.pdf
- Mn、Co摻雜SiC稀磁半導(dǎo)體薄膜的制備及物性研究.pdf
- Ⅱ-Ⅵ族半導(dǎo)體復(fù)雜納米結(jié)構(gòu)的液相法合成及其相關(guān)物性研究.pdf
- 基于Mn摻雜ZnSe半導(dǎo)體納米晶的復(fù)合薄膜的物性研究.pdf
- ZnO基稀磁半導(dǎo)體的鐵磁性機(jī)理.pdf
評(píng)論
0/150
提交評(píng)論