

版權說明:本文檔由用戶提供并上傳,收益歸屬內(nèi)容提供方,若內(nèi)容存在侵權,請進行舉報或認領
文檔簡介
1、鈀膜具有優(yōu)良的透氫性和透氫選擇性,可用作氫分離和純化器。近年來,世界對氫能和氫經(jīng)濟的巨大關注,極大地促進了鈀膜技術的發(fā)展。將鈀金屬與鈀合金薄層負載于多孔載體而形成的復合鈀膜可實現(xiàn)更高的透氫率,但膜缺陷的控制、膜的成本和穩(wěn)定性成為新的問題。本文通過改進化學鍍膜工藝,制備了鈀及鈀銀合金膜,并對其性能進行了測試,為復合鈀膜的產(chǎn)業(yè)化提供參考。
本文自創(chuàng)了Pd(OH)2膠體活化法,即向載體表面噴施氫氧化鈀膠體,干燥后用N2H4溶液還
2、原,在載體表面沉積一層均勻的鈀核,最后經(jīng)化學鍍法制成厚度為7μm的鈀復合膜。當溫度為723K、壓差為0.1MPa時,鈀膜的氫氣滲透量為31cm3·cm-2·min-1,H2/N2選擇系數(shù)超過3000。在溫度為573K-723K,壓力<0.25MPa時,壓力指數(shù)n=0.5。參照鈀膜附著力的分析方法,設計了一系列的鈀膜附著力實驗(包括十字劃歌法、氫脆試驗、熱震試驗、壓力破壞試驗),比較了氫氧化鈀膠體法和傳統(tǒng)SnCl2/PdCl2活化法對鈀膜
3、附著力的影響,結果表明新方法制備得到的鈀/陶瓷復合膜的附著力明顯高于傳統(tǒng)方法。
用滲透壓與化學鍍相結合的方法對有缺陷的鈀膜進行修補。此法的特點是:修補過程中,還原劑與鍍液分別位于載體兩側,利用滲透壓使鍍液和還原劑接觸,在孔徑較大的地方更充分接觸,使孔口處的金屬沉積速度更快,從而使缺陷迅速減小,達到修補膜缺陷的作用。結果顯示修補后幾乎所有的裂缺都消失,H2/N2的選擇性較修補前提高了兩個數(shù)量級,并且修補之后,其滲透率無顯著降
4、低,表明了修補時鈀的沉積只發(fā)生在裂缺附近區(qū)域。
本文在上述化學鍍鈀改進工藝的基礎上,利用分步化學鍍法制備了管式Pd-Ag復合膜。實驗中發(fā)現(xiàn)分步鍍膜時先鍍鈀后鍍銀有利于形成連續(xù)致密的金屬復合膜,溫度是影響膜性質(zhì)的決定因素,低溫合金化能極大程度的避免缺陷的產(chǎn)生。利用該法制得的鈀銀合金膜在723K時,氫氣滲透系數(shù)為2.4×10-3mol·m-2·s-1·pa-0.5,H2/N2選擇性大于2500,活化能Ea為9.8kJ·mol-
溫馨提示
- 1. 本站所有資源如無特殊說明,都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請下載最新的WinRAR軟件解壓。
- 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等,如果需要附件,請聯(lián)系上傳者。文件的所有權益歸上傳用戶所有。
- 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙,網(wǎng)頁內(nèi)容里面會有圖紙預覽,若沒有圖紙預覽就沒有圖紙。
- 4. 未經(jīng)權益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
- 5. 眾賞文庫僅提供信息存儲空間,僅對用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護處理,對用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯,并不能對任何下載內(nèi)容負責。
- 6. 下載文件中如有侵權或不適當內(nèi)容,請與我們聯(lián)系,我們立即糾正。
- 7. 本站不保證下載資源的準確性、安全性和完整性, 同時也不承擔用戶因使用這些下載資源對自己和他人造成任何形式的傷害或損失。
最新文檔
- 鈀修飾PAn-PTFE復合膜材料的制備及氫敏性研究.pdf
- 光催化法制備超薄鈀膜及鈀銀合金膜的研究.pdf
- 鈀銅合金復合膜的研制及其性能測試.pdf
- 鈀和鈀-鈦硅復合膜制備與催化苯制苯酚分析.pdf
- 電子漿料用銀鈀復合粉末的研制.pdf
- 多孔鈦金屬擔載鈀復合膜的制備及性能研究.pdf
- 鈀-聚合物基復合膜的制備、表征及性能研究.pdf
- 化學流體沉積法鈀復合膜的研制與表征.pdf
- 用核孔膜制備納米銀和納米鈀的研究.pdf
- 基于表面等離子體共振的鈀-銀復合膜氫氣傳感器的研究.pdf
- 小孔沸石分子篩膜及其鈀復合膜的制備與應用.pdf
- 氫敏鈀膜材料的制備與表征.pdf
- 化學鍍在鈀復合膜制備及石墨電極修飾中的應用研究.pdf
- 電子漿料用銀鈀合金粉的制備研究.pdf
- 銀鈀合金粉末及銀-氧化錫復合材料的制備研究.pdf
- 5727.鈀復合膜的制備及在苯一步氧化合成苯酚中的應用
- 消防服用防水透濕復合膜的制備及性能研究.pdf
- 導電漿料用亞微米級銀鈀合金粉的制備研究.pdf
- FCC汽油脫硫用復合膜的研究.pdf
- 鈀基氫傳感器的制備及性能研究.pdf
評論
0/150
提交評論