2023年全國(guó)碩士研究生考試考研英語(yǔ)一試題真題（含答案詳解+作文范文）_第1頁(yè)
已閱讀1頁(yè)，還剩60頁(yè)未讀， 繼續(xù)免費(fèi)閱讀

下載本文檔

版權(quán)說(shuō)明：本文檔由用戶提供并上傳，收益歸屬內(nèi)容提供方，若內(nèi)容存在侵權(quán)，請(qǐng)進(jìn)行舉報(bào)或認(rèn)領(lǐng)

文檔簡(jiǎn)介

1、隨著集成電路集成密度的不斷增加，金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)的特征尺寸越來(lái)越小，并且逼近其物理極限。本文主要研究小尺寸效應(yīng)對(duì)MOSFET的柵漏電流、載流子輸運(yùn)和閾值電壓的影響。 在小尺寸MOSFET柵漏電流方面：主要是關(guān)注柵氧化層中氧空位缺陷對(duì)柵漏電流的影響，因?yàn)檠蹩瘴皇菛叛趸瘜又杏绊懫淇煽啃缘闹匾毕葜弧１疚脑诜治隽诵〕叽鏜OS器件柵漏電流的組成機(jī)制及現(xiàn)狀的基礎(chǔ)上，計(jì)算了在柵氧化層中隨機(jī)分布的氧空位對(duì)柵漏

2、電流的影響。研究表明單個(gè)氧空位對(duì)柵漏電流的影響隨氧化層厚度的增大而減小，當(dāng)厚度在特定值以及特定電場(chǎng)下，單個(gè)氧空位引起的柵漏電流增加可以被忽略。 在小尺寸效應(yīng)對(duì)載流子輸運(yùn)的影響方面：本文利用全能帶蒙特卡羅方法，對(duì)硅能帶的非拋物線性對(duì)溝道載流子輸運(yùn)的影響進(jìn)行了計(jì)算。研究表明：能帶的非拋物線性對(duì)小尺寸器件載流子輸運(yùn)的影響大，與之對(duì)比對(duì)大尺寸器件載流子輸運(yùn)的影響則不明顯。這意味著對(duì)于小尺寸MOSFET必須考慮硅能帶的非拋物線性對(duì)器件載流

溫馨提示

  • 1. 本站所有資源如無(wú)特殊說(shuō)明，都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請(qǐng)下載最新的WinRAR軟件解壓。
  • 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等，如果需要附件，請(qǐng)聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
  • 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙，網(wǎng)頁(yè)內(nèi)容里面會(huì)有圖紙預(yù)覽，若沒(méi)有圖紙預(yù)覽就沒(méi)有圖紙。
  • 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
  • 5. 眾賞文庫(kù)僅提供信息存儲(chǔ)空間，僅對(duì)用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護(hù)處理，對(duì)用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯，并不能對(duì)任何下載內(nèi)容負(fù)責(zé)。
  • 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當(dāng)內(nèi)容，請(qǐng)與我們聯(lián)系，我們立即糾正。
  • 7. 本站不保證下載資源的準(zhǔn)確性、安全性和完整性, 同時(shí)也不承擔(dān)用戶因使用這些下載資源對(duì)自己和他人造成任何形式的傷害或損失。

評(píng)論

0/150

提交評(píng)論