硒化鉛、硒化銅、氧化鋅納米晶的液相合成研究.pdf

1、納米材料特別是納米半導(dǎo)體材料越來(lái)越被人們所重視。當(dāng)材料顆粒尺寸減小到納米尺寸范圍內(nèi)以后,材料量子尺寸效應(yīng)、大比表面效應(yīng)、量子限域效應(yīng)等均會(huì)有顯著提高,從而表現(xiàn)為與體相材料截然不同的特異性能,被廣泛應(yīng)用于微電子、非線性光學(xué)、光電轉(zhuǎn)化、光催化等領(lǐng)域。
　　 Ⅳ-Ⅵ族和Ⅱ-Ⅵ族金屬硒化物均屬于較為重要的半導(dǎo)體材料,它們具有優(yōu)異的光學(xué)、電學(xué)和磁學(xué)等性能。當(dāng)顆粒尺寸減小到納米級(jí)之后,會(huì)表現(xiàn)出更加獨(dú)特的性能,從而使它們?cè)诠鈱W(xué)開(kāi)關(guān)、光催化、氣

2、敏、非線性光學(xué)器件等方面具有更廣泛的應(yīng)用。但如何快速簡(jiǎn)便、經(jīng)濟(jì)有效、綠色環(huán)保、形貌和尺寸可控的合成該類化合物仍然是今后一段時(shí)間該類半導(dǎo)體化合物實(shí)用化的主要前提,新的合成方法和新形貌合成必將對(duì)該類化合物理論和應(yīng)用研究起到極大的推動(dòng)作用。ZnO是一種較為重要的半導(dǎo)體材料,其室溫下禁帶寬度為3.37 eV,激子束縛能約為60 mV。這些特性特別是其獨(dú)特的光學(xué)、光電性能,使其在催化、光催化、氣敏、壓電、激光、傳感器等方面得到了廣泛應(yīng)用。

3、　　 本文主要工作有:利用水熱法,分別使用pb2+-EDTA、Na2SeSO3和Cu2+-EDTA、Na2SeSO3,通過(guò)控制反應(yīng)條件,制備了單分散PbSe納米立方體和CuSe納米片,使用XRD、SEM、TEM、UV-vis、PL等手段對(duì)產(chǎn)品進(jìn)行了表征,并研究了影響產(chǎn)品組成及形貌的各種因素。實(shí)驗(yàn)表明,適當(dāng)?shù)臏囟?、使用配位離子作為反應(yīng)中間體和添加適量的PVP是影響產(chǎn)品形貌的關(guān)鍵,適量的PVP可以使PbSe納米晶和CuSe納米晶定向生長(zhǎng),

4、同時(shí)也有助于減少納米晶的團(tuán)聚。在實(shí)驗(yàn)的基礎(chǔ)上,初步探討了單分散PbSe納米立方體和CuSe納米片的生長(zhǎng)機(jī)理。利用UV-vis和PL對(duì)PbSe納米立方體和CuSe納米片紫外可見(jiàn)吸收和光致發(fā)光性能進(jìn)行了研究,對(duì)PbSe納米發(fā)光材料實(shí)用化進(jìn)行了理論探索。
　　 以Zn(Ac)2和氨水為原料,添加適量的PVP作為控制劑,采用低溫均相沉淀法,成功合成了形貌單一、尺寸均一的啞鈴狀ZnO納米棒。使用SEM、TEM、XRD等手段對(duì)產(chǎn)品進(jìn)行了表征