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1、近年來,隨著半導(dǎo)體量子點研究的逐步深入,無機量子點被引入有機電致發(fā)光中制成量子點-有機電致發(fā)光器件(QD-OLED),目前進一步優(yōu)化QD-OLED器件的關(guān)鍵問題是對材料中電荷轉(zhuǎn)移和能量傳遞復(fù)合發(fā)光機制的的詳細理解。量子點/聚合物復(fù)合材料發(fā)光性質(zhì)的研究已成為一個重要的前沿研究熱點,量子點微觀結(jié)構(gòu)特點和奇異的物理化學(xué)性質(zhì)為制造和開發(fā)高效率、長壽命的OLED開辟了新的途徑。 基于傳統(tǒng)制備方法,我們首先在油相體系中以“一步法”合成的Cd
2、Se/ZnSe量子點為“核”表面生長ZnS殼層的方法制備了CdSe/ZnSe/ZnS多殼層結(jié)構(gòu)的量子點并對其進行表征。該方法有效地減少了殼層生長的步驟和實驗時間,降低了原料損耗,制備了具有高量子產(chǎn)率的多殼層結(jié)構(gòu)量子點。 然后選用CdSe的不同殼層結(jié)構(gòu)的量子點納米晶與不同空穴傳輸材料配置混合溶液,改變量子點和有機物的比例,研究量子點與空穴傳輸材料之間發(fā)生的光誘導(dǎo)的電荷分離,導(dǎo)致溶液中量子點熒光猝滅。在此得出了量子點價帶與空穴傳輸材
3、料的HOMO能級的差越大,量子點熒光猝滅濃度越低,電荷傳遞量越多的結(jié)論。最后把CdSe/CdS/ZnS核殼結(jié)構(gòu)量子點和兩種不同電子傳輸材料混合薄膜為研究對象,探討了光激發(fā)下從有機電子傳輸材料到量子點的能量傳遞問題。在Alq3和量子點混合薄膜中,我們計算出Forster半徑為5.23 nm,通過測量Alq3熒光壽命,發(fā)現(xiàn)在加入受體量子點后給體Alq3的平均熒光壽命變短,并計算了能量傳遞效率,隨著加入受體量子點比例的增加能量傳遞效率也隨著增
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