CdSe-CdS量子點(diǎn)薄膜的制備及其光電性能.pdf

1、本論文基于量子點(diǎn)（quantum dots，簡(jiǎn)稱QDs）優(yōu)越的光、電性質(zhì)，合成了核殼結(jié)構(gòu)CdSe/CdS量子點(diǎn)，采用自組裝技術(shù)將其組裝成CdSe/CdS量子點(diǎn)薄膜，詳細(xì)考察了量子點(diǎn)薄膜的組裝條件以及薄膜熒光性能的影響因素，并且初步考察了該量子點(diǎn)薄膜在修飾電極中的應(yīng)用，旨在為獲得性能良好的量子點(diǎn)薄膜光電傳感器打下一定的基礎(chǔ)。
　　 論文主要工作包括：
　　 CdSe/CdS量子點(diǎn)的合成：利用有機(jī)相法和水相法合成了單核CdS

2、e和核殼結(jié)構(gòu)CdSe/CdS量子點(diǎn)，利用透射電子顯微鏡（TEM）對(duì)量子點(diǎn)的晶體大小進(jìn)行了表征，并通過(guò)熒光激發(fā)和發(fā)射光譜研究和比較了不同合成方法所得量子點(diǎn)的性質(zhì)。實(shí)驗(yàn)表明：合成的量子點(diǎn)粒徑分布均勻，分散性好；與單核CdS（或CdSe）量子點(diǎn)相比，核殼結(jié)構(gòu)CdSe/CdS量子點(diǎn)的熒光強(qiáng)度大，穩(wěn)定性好；其次，有機(jī)相合成的量子點(diǎn)比水相合成的量子點(diǎn)熒光強(qiáng)度更大、半峰寬更窄（約為35nm），且峰型對(duì)稱性好。
　　 CdSe/CdS薄膜的組裝

3、及條件優(yōu)化：通過(guò)巰基乙酸對(duì)有機(jī)相合成的CdSe/CdS量子點(diǎn)進(jìn)行表面修飾轉(zhuǎn)移到水相，并通過(guò)靜電自組裝的方式，將CdSe/CdS量子點(diǎn)組裝至ITO表面，優(yōu)化組裝條件，詳細(xì)討論了CdSe/CdS量子點(diǎn)薄膜的熒光性能及其影響因素。結(jié)果表明制備薄膜的最優(yōu)化條件為：以聚陽(yáng)離子PDDA（聚二烯丙基二甲基氯化銨）為偶聯(lián)劑，用pH=6.0的氯化氨作為量子點(diǎn)溶液介質(zhì)進(jìn)行組裝，制備所得的薄膜成膜質(zhì)量好，熒光發(fā)射強(qiáng)度大。
　　 CdSe/CdS薄膜的

4、層層組裝及其熒光性能的影響因素：在最優(yōu)化條件下，采用層層自裝方式得到CdSe/CdS多層薄膜，結(jié)果顯示：多層膜的熒光強(qiáng)度與薄膜的層數(shù)呈線性關(guān)系；實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn)，薄膜的熒光強(qiáng)度受介質(zhì)氣體影響較大，在空氣或氧氣中，薄膜的熒光強(qiáng)度會(huì)降低，回到氮?dú)鈿夥罩袩晒鈴?qiáng)度又會(huì)恢復(fù)，說(shuō)明該薄膜對(duì)氣體敏感，此現(xiàn)象提示該薄膜有可能作為氣體傳感器。
　　 CdSe/CdS薄膜在修飾電極中的應(yīng)用：采用以上相同的組裝方式，將CdSe/CdS量子點(diǎn)自組裝到玻碳（GC