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文檔簡介
1、隨著半導體產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展以及許多新型消費類電子產(chǎn)品的廣泛應用于普及,人們對于存儲器的要求越來越高。業(yè)界對于Flash的持續(xù)性的研究使它一直保持了旺盛的生命力,在存儲領域應用的Flash存儲器的設計成為當今半導體技術(shù)領域,門檻最高的方向之一。
NAND Flash是Flash中應用比較廣泛的存儲器,它采用串行的存儲模式,能夠?qū)崿F(xiàn)固態(tài)大容量存儲。它由于排列緊湊,相同面積能夠存儲更多的數(shù)據(jù),改寫速度快等優(yōu)點,得到了廣泛的應用。雖然研
2、究 NAND Flash的文章有很多,但是大多數(shù)都是基于算法層面,而很少基于內(nèi)部電路的設計來對其性能進行優(yōu)化。
本文重點對嵌入式NAND Flash設計中的一些問題進行研究,包括架構(gòu)發(fā)展趨勢,芯片整體框架和模塊劃分,主要功能模塊的設計,并且注重實際芯片的實現(xiàn)。根據(jù)實驗室音視頻項目大容量數(shù)據(jù)存取的要求,本文將設計一種新型的Flash存儲器,初步設計存儲容量1Mbit,由于Flash存儲單元的性能很大程度上受制于工藝限制,因此本文
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