X波段寬帶單片集成低噪聲放大芯片研究.pdf

1、本論文對x波段8～12GHz寬帶單片集成低噪聲放大芯片(MMIC LNA)進行了研究，論文主要介紹了MMIC LNA的設計原理及方法，芯片電路設計、版圖設計及其的電磁場仿真，芯片的流片以及最后的測試。芯片測試結(jié)果達到國內(nèi)領(lǐng)先水平。
　　 本次設計采用臺灣WIN半導體公司提供的0.15μm GaAs Low Noise PHEMT工藝進行X波段單片集成低噪聲放大芯片的電路設計。本論文設計的低噪聲放大芯片采用三級級聯(lián)放大的拓撲結(jié)構(gòu)，

2、每一級根據(jù)不同的指標要求分別對管芯及其匹配電路進行設計，同時為便于級聯(lián)，將各級的輸入/出匹配到50歐姆，然后再進行三級的級聯(lián)以及電路的優(yōu)化設計，以滿足寬帶，低噪聲，高增益的要求。待電路設計完成，根據(jù)工藝要求設計電路版圖并進行版圖的電磁場仿真，根據(jù)仿真結(jié)果，對電路進行改進優(yōu)化，最后完成電路的整體設計。在設計過程中，末級電路采用了負反饋結(jié)構(gòu)，提高了芯片在工作頻帶內(nèi)的增益及其平坦度。采用源端負反饋結(jié)構(gòu)和穩(wěn)定衰減結(jié)構(gòu)來保證電路的穩(wěn)定性。并對電路