X波段寬帶單片集成低噪聲放大芯片研究.pdf

1、本論文對(duì)x波段8～12GHz寬帶單片集成低噪聲放大芯片(MMIC LNA)進(jìn)行了研究，論文主要介紹了MMIC LNA的設(shè)計(jì)原理及方法，芯片電路設(shè)計(jì)、版圖設(shè)計(jì)及其的電磁場(chǎng)仿真，芯片的流片以及最后的測(cè)試。芯片測(cè)試結(jié)果達(dá)到國(guó)內(nèi)領(lǐng)先水平。
　　 本次設(shè)計(jì)采用臺(tái)灣WIN半導(dǎo)體公司提供的0.15μm GaAs Low Noise PHEMT工藝進(jìn)行X波段單片集成低噪聲放大芯片的電路設(shè)計(jì)。本論文設(shè)計(jì)的低噪聲放大芯片采用三級(jí)級(jí)聯(lián)放大的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，

2、每一級(jí)根據(jù)不同的指標(biāo)要求分別對(duì)管芯及其匹配電路進(jìn)行設(shè)計(jì)，同時(shí)為便于級(jí)聯(lián)，將各級(jí)的輸入/出匹配到50歐姆，然后再進(jìn)行三級(jí)的級(jí)聯(lián)以及電路的優(yōu)化設(shè)計(jì)，以滿(mǎn)足寬帶，低噪聲，高增益的要求。待電路設(shè)計(jì)完成，根據(jù)工藝要求設(shè)計(jì)電路版圖并進(jìn)行版圖的電磁場(chǎng)仿真，根據(jù)仿真結(jié)果，對(duì)電路進(jìn)行改進(jìn)優(yōu)化，最后完成電路的整體設(shè)計(jì)。在設(shè)計(jì)過(guò)程中，末級(jí)電路采用了負(fù)反饋結(jié)構(gòu)，提高了芯片在工作頻帶內(nèi)的增益及其平坦度。采用源端負(fù)反饋結(jié)構(gòu)和穩(wěn)定衰減結(jié)構(gòu)來(lái)保證電路的穩(wěn)定性。并對(duì)電路