SiC高溫電學(xué)特性研究.pdf_第1頁
已閱讀1頁，還剩52頁未讀， 繼續(xù)免費閱讀

下載本文檔

版權(quán)說明：本文檔由用戶提供并上傳，收益歸屬內(nèi)容提供方，若內(nèi)容存在侵權(quán)，請進行舉報或認領(lǐng)

文檔簡介

1、目前半導(dǎo)體材料主要以Si和GaAs為主，由于它們在高溫條件下一些性能不佳，使得以SiC為代表的第三代半導(dǎo)體材料得到了廣泛的關(guān)注，SiC材料較高的擊穿電壓和熱導(dǎo)率使器件功率承受能力大大提高，在高溫大功率領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景。本論文采用PVT法摻釩得到的兩塊尺寸為1cm×lcm正方形半絕緣6H-SiC單晶片1＃SiC和2＃SiC，利用范德堡結(jié)構(gòu)進行高溫霍爾測試，獲得了該類SiC單晶材料電學(xué)參數(shù)的溫度特性關(guān)系。實驗結(jié)果表明，在室溫以上，隨著

溫馨提示

  • 1. 本站所有資源如無特殊說明，都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請下載最新的WinRAR軟件解壓。
  • 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等，如果需要附件，請聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
  • 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙，網(wǎng)頁內(nèi)容里面會有圖紙預(yù)覽，若沒有圖紙預(yù)覽就沒有圖紙。
  • 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
  • 5. 眾賞文庫僅提供信息存儲空間，僅對用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護處理，對用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯，并不能對任何下載內(nèi)容負責(zé)。
  • 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當(dāng)內(nèi)容，請與我們聯(lián)系，我們立即糾正。
  • 7. 本站不保證下載資源的準(zhǔn)確性、安全性和完整性, 同時也不承擔(dān)用戶因使用這些下載資源對自己和他人造成任何形式的傷害或損失。

評論

0/150

提交評論