基于模擬退火算法的接近式紫外光刻誤差修正的研究.pdf

1、接近式紫外光刻是UV-LIGA工藝的關鍵工藝之一。紫外光準直性低，而且存在衍射效應，在光刻過程中，由于間隙的存在，使得衍射效應明顯，從而造成在光刻圖形轉移的過程中，得到的圖形在二維的形狀上有偏差。針對曝光形狀失真問題，本文采用波前分割的方法對掩模圖形上的波前進行區(qū)域劃分，并利用光場相干疊加相互抵消的性質，最終得到了掩模圖形上對場點光場影響最大的波前區(qū)域，并得到了實驗驗證。應用模擬退火算法對掩模特征處進行局部優(yōu)化，在保證優(yōu)化效果的基礎上，

2、使優(yōu)化過程大大簡化。論文的主要工作可以分為以下幾個部分：
　　 1.基于模擬退火算法的逆向光刻模型
　　 本文采用了反向光刻技術，將掩模版設計問題考慮成為一個逆向問題，并通過對整個掩模版圖形設計區(qū)域進行計算來求解。求解過程不受目標圖案復雜度的影響，只受光學系統(tǒng)的相關性質的影響，目標圖案在求解過程中只是作為收斂的判據。由于逆向算法理論上可以遍歷完整的掩模版圖形函數解空間，因此存在著找到全局最優(yōu)解的可能性。采用模擬退火算法作

3、為逆向算法，把退火系統(tǒng)最低能量穩(wěn)態(tài)的求解問題和使目標函數最小化的優(yōu)化掩模版圖形的求解問題統(tǒng)一起來，實現了逆向掩模版圖形的設計與優(yōu)化。
　　 2.掩模有效影響區(qū)域的選取
　　 為了解決早期的模擬退火算法在目標圖形比較復雜的情況下，收斂效率和優(yōu)化結果精度方面都不甚理想的問題，通過對衍射光場的有效波前作用規(guī)律分析，得出圖形中有效影響區(qū)域，并經過實驗驗證。最后修正僅在有效影響區(qū)域內進行，這樣可以在保證優(yōu)化結果精度的情況下大大的縮