模板及沉積在模板上的低維SiC及SiC：Tb材料的研究.pdf

1、SiC材料是第三代半導體核心材料之一，具有優(yōu)異的物理化學特性，如高擊穿場強、高熔點、飽和電子漂移速度大等，在高溫、高頻、大功率和抗輻射器件方面具有極其重要的應(yīng)用價值，具有巨大的發(fā)展?jié)摿蛻?yīng)用前景。但是由于SiC是一種間接帶隙半導體材料，其在光學方面上的應(yīng)用受到了很大限制。 對于提高間接帶隙半導體材料的發(fā)光效率，一般有以下兩個途徑。其一，降低材料的維數(shù)，這將使材料的發(fā)光效率得到顯著提高。其二，就是引入發(fā)光中心，以提高其發(fā)光效率。

2、 本論文針對上述問題，制備了兩種模板物質(zhì)(多孔硅(PS)和陽極氧化鋁模板(AAO))，研究了它們的基本性質(zhì)，并利用這兩種模板制備了低維的SiC納米材料，同時利用共濺射方法引入了稀土元素作為發(fā)光中心。主要開展了以下工作：(Ⅰ)利用陽極電化學腐蝕法在p，n型Si片上制備了多孔硅(PS)，對制備及后處理條件進行了研究，用以提高PS的穩(wěn)定性。 利用PS作為襯底，用射頻濺射法沉積了SiC材料，通過對襯底溫度，濺射氣壓，濺射功率等制備

3、條件的控制，合成低維SiC材料。通過對后處理條件的改變，來提高材料的性質(zhì)。 在PS襯底上利用共摻雜的方法制備低維的SiC：Tb材料，研究Tb對SiC發(fā)光的影響。 利用SEM，AFM，XRD，F(xiàn)TIR表征了材料的形貌，成鍵等結(jié)構(gòu)信息，同時對材料的結(jié)構(gòu)和PL性質(zhì)等性質(zhì)進行了測試。 (Ⅱ)利用陽極電化學法在常溫和低溫下制備出了孔洞有序的通孔和非通孔的多孔氧化鋁模板。詳細研究了制備條件對模板有序性的影響。 系統(tǒng)地